[发明专利]用于多管芯操作的模拟峰值功率管理

权利要求书

1.一种用于具有多个存储管芯的存储芯片的峰值功率管理(PPM)系统，包括：

两个或更多个峰值功率管理组，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组均包括分别位于所述多个存储管芯上的多个峰值功率管理电路，并且所述多个峰值功率管理电路中的每个峰值功率管理电路包括：

电连接到电源和上拉电阻的上拉驱动器；

电连接到下拉电阻的下拉驱动器；以及

连接到所述上拉电阻和所述下拉电阻的峰值功率管理引脚，

其中，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组中的峰值功率管理引脚彼此电连接；

其中，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组被配置为基于所述峰值功率管理引脚的电位来管理数量m个峰值功率操作；并且

其中，所述上拉电阻、所述上拉驱动器、所述下拉驱动器和所述下拉电阻串联连接在一起。

2.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，每个存储管芯包括至少两个峰值功率管理电路。

3.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组中的所述峰值功率管理引脚的所述电位是由流过所述多个峰值功率管理电路中的所述下拉驱动器的下拉电流确定的。

4.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组还包括具有电连接到所述峰值功率管理引脚的第一输入端子和电连接到参考电压的第二输入端子的比较器。

5.根据权利要求4所述的峰值功率管理系统，其中，所述比较器的输出端子连接到反相器。

6.根据权利要求4所述的峰值功率管理系统，其中，所述两个或更多个峰值功率管理组中的每个峰值功率管理组还包括电连接到所述峰值功率管理引脚和所述比较器的所述第一输入端子的RC滤波器。

7.根据权利要求4所述的峰值功率管理系统，其中，所述参考电压在所述峰值功率管理引脚的第一电位到所述峰值功率管理引脚的第二电位的范围中，所述峰值功率管理引脚的所述第一电位和所述第二电位分别与数量m-1和数量m个峰值功率操作相对应。

8.根据权利要求7所述的峰值功率管理系统，其中，所述峰值功率管理引脚的所述第一电位是并且，所述峰值功率管理引脚的所述第二电位是其中

R_u是所述上拉电阻的电阻值，

R_d是所述下拉电阻的电阻值；以及

V_dd是所述电源的电压。

9.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，所述上拉驱动器是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

10.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，所述下拉驱动器是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

11.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，每个峰值功率管理组中的所述峰值功率管理引脚是通过管芯到管芯连接来电连接的，每个管芯到管芯连接包括金属互连。

12.根据权利要求1所述的峰值功率管理系统，其中，每个峰值功率管理组中的所述峰值功率管理引脚是通过倒装芯片键合、管芯到管芯键合或者引线键合来电连接的。