[发明专利]采用CPU向3D XPOINT芯片键合的新颖集成方案有效
申请号: | 202080002712.0 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112384978B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 程卫华;刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/12 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 刘健;张殿慧 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 cpu xpoint 芯片 新颖 集成 方案 | ||
1.一种系统,包括:
中央处理单元芯片;以及
键合至所述中央处理单元芯片的存储芯片,包括:
衬底;
存储阵列,包括:
多个存储单元;
多个选择器;
耦接至所述选择器的多条字线,所述多条字线中的第一字线与所述存储阵列的第一末端相邻并且所述多条字线中的第二字线与所述存储阵列的第二末端相邻;以及
耦接至所述存储单元的多条位线;
将所述多条字线耦接至所述衬底的多条字线接触;以及
将所述多条位线耦接至所述衬底的多条位线接触,所述多条位线沿所述衬底的由所述第一字线和所述的第二字线限定的长度铺设,
其中,所述多条字线在与所述衬底平行的第一平面中延伸,并且所述多条位线在与所述衬底平行的第二平面中延伸。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述中央处理单元芯片包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管的核。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述存储阵列是三维存储阵列,其中:
所述多个存储单元具有第一末端和第二末端;
所述多个选择器具有第一末端和第二末端,所述多个选择器的第二末端耦接至所述多个存储单元的第一末端;
所述多条字线耦接至所述多个选择器的第一末端;并且
所述多条位线耦接至所述多个存储单元的第二末端。
4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述存储芯片通过多个互连键合至所述中央处理单元芯片。
5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个互连通过键合界面对所述中央处理单元和所述存储芯片进行键合。
6.一种存储器件,包括:
非易失性存储器或易失性存储器中的至少一者,所述至少一个非易失性存储器或易失性存储器包括:
存储芯片,包括:
衬底;
存储阵列,包括:
多个存储单元;
多个选择器;
耦接至所述选择器的多条字线,所述多条字线中的第一字线与所述存储阵列的第一末端相邻并且所述多条字线中的第二字线与所述存储阵列的第二末端相邻;以及
耦接至所述存储单元的多条位线;
将所述多条字线耦接至所述衬底的多条字线接触;以及
将所述多条位线耦接至所述衬底的多条位线接触,所述多条位线沿所述衬底的由所述第一字线和所述的第二字线限定的长度铺设,
其中,所述多条字线在与所述衬底平行的第一平面中延伸,并且所述多条位线在与所述衬底平行的第二平面中延伸。
7.根据权利要求6所述的存储器件,其中,所述存储器件是固态驱动器。
8.根据权利要求6所述的存储器件,其中,所述存储阵列是三维存储阵列,其中:
所述多个存储单元具有第一末端和第二末端;
所述多个选择器具有第一末端和第二末端,所述多个选择器的第二末端耦接至所述多个存储单元的第一末端;
所述多条字线耦接至所述多个选择器的第一末端;并且
所述多条位线耦接至所述多个存储单元的第二末端。
9.一种存储芯片,其包括:
衬底;
存储阵列,包括:
多个存储单元;
多个选择器;
耦接至所述选择器的多条字线,所述多条字线中的第一字线与所述存储阵列的第一末端相邻并且所述多条字线中的第二字线与所述存储阵列的第二末端相邻;以及
耦接至所述存储单元的多条位线;
将所述多条字线耦接至所述衬底的多条字线接触;以及
将所述多条位线耦接至所述衬底的多条位线接触,所述多条位线沿所述衬底的由所述第一字线和所述的第二字线限定的长度铺设,
其中,所述多条字线在与所述衬底平行的第一平面中延伸,并且所述多条位线在与所述衬底平行的第二平面中延伸。
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