[发明专利]电子装置及过电流保护电路

说明书

本公开涉及一种电子装置。所述电子装置包括第一III族氮化物晶体管和过电流保护电路OCP。所述OCP电路包括输入装置和检测装置。所述输入装置被配置成接收控制信号并产生第一电压到所述第一III族氮化物晶体管的栅极。所述检测装置被配置成如果所述第一III族氮化物晶体管的漏极处的电流小于预定值则产生具有第一逻辑值的输出信号，并且如果所述第一III族氮化物晶体管的所述漏极处的所述电流等于或大于所述预定值则产生具有第二逻辑值的所述输出信号，其中所述第一逻辑值与所述第二逻辑值不同。

技术领域

本公开涉及一种具有过电流保护(OCP)电路的电子装置，并且具体地涉及一种具有OCP电路的III-V族电子装置。

背景技术

包括直接带隙半导体的组件，例如，包括III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件，由于其特性可以在各种条件下或在各种环境(例如，在不同的电压和频率下)中操作或工作。

半导体组件可以包括异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)等。

发明内容

在一些实施例中，电子装置包括第一III族氮化物晶体管和过电流保护电路(OCP)。OCP电路包括输入装置和检测装置。输入装置被配置成接收控制信号并产生第一电压到第一III族氮化物晶体管的栅极。检测装置被配置成如果第一III族氮化物晶体管的漏极处的电流小于预定值则产生具有第一逻辑值的输出信号，并且如果第一III族氮化物晶体管的漏极处的电流等于或大于预定值则产生具有第二逻辑值的输出信号，其中第一逻辑值与第二逻辑值不同。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的一些实施例的方面。注意，各种结构可以不按比例绘制，并且为了讨论清楚，各种结构的尺寸可以任意增加或减小。

图1示出了根据本公开的一些实施例的电子装置的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的如图1所示的电子装置的不同节点处的电压的时序图。

图3示出了根据本公开的一些实施例的比较器的示意图；

图4A示出了根据本公开的一些实施例的延迟电路的示意图；

图4B示出了根据本公开的一些实施例的反相器的示意图；

图4C示出了根据本公开的一些实施例的反相器的示意图；

图4D示出了根据本公开的一些实施例的延迟电路的示意图；

图5示出了根据本公开的一些实施例的电子装置的示意图；

具体实施方式

以下公开提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述组件和布置的具体实例。当然，这些仅仅是实例，并不旨在限制。在本公开中，对在后续所描述的第二特征之上或上面的第一特征的形成的参考可以包括其中以直接接触的方式形成第一和第二特征的实施例，并且还可以包括其中可以在第一和第二特征之间形成附加特征使得第一和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，其本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

下面详细讨论本公开的实施例。然而，应当理解，本公开提供了许多可应用的概念，这些概念可以在各种各样的特定上下文中体现。所讨论的具体实施例仅仅是说明性的，并不限制本公开的范围。

直接带隙材料，例如III-V族化合物，可以包括但不限于，例如，砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、砷化铟镓(InGaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)等。