[发明专利]电子装置及过电流保护电路有效
| 申请号: | 202080002665.X | 申请日: | 2020-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN112368896B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 盛健健;管要宾 | 申请(专利权)人: | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 519085 广东省珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 装置 电流 保护 电路 | ||
1.一种电子装置,其包含:
第一III族氮化物晶体管;
过电流保护OCP电路,其包含:
输入装置,其被配置成接收控制信号并产生第一电压到所述第一III族氮化物晶体管的栅极;以及
检测装置,其被配置成如果所述第一III族氮化物晶体管的漏极处的电流小于预定值则产生具有第一逻辑值的输出信号,并且如果所述第一III族氮化物晶体管的所述漏极处的所述电流等于或大于所述预定值则产生具有第二逻辑值的所述输出信号,其中所述第一逻辑值与所述第二逻辑值不同,其中所述检测装置进一步包含比较器以及第一反相器,所述比较器具有被配置成接收参考电压的第一输入、被配置成接收第二电压的第二输入和被配置成输出第三电压的输出,所述第一反相器具有被配置成接收所述第三电压的输入和被配置成输出所述输出信号的输出;
高电压隔离装置,连接在所述第一III族氮化物晶体管的所述漏极和所述比较器的所述第二输入之间,所述高电压隔离装置包含第二III族氮化物晶体管,所述第二III族氮化物晶体管具有栅极,所述栅极被配置成接收具有与输入到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的数据的逻辑值相同的逻辑值的数据;以及
第三III族氮化物晶体管,其具有连接到电源以接收所提供的电压的漏极,并具有栅极和源极,且所述第三III族氮化物晶体管栅极和所述源极都连接到所述第二III族氮化物晶体管的源极。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述输入装置包含:
第二反相器,其具有被配置成接收所述控制信号的输入和输出;以及
第三反相器,其具有连接到所述第二反相器的所述输出的输入和连接到所述第一III族氮化物晶体管的所述栅极的输出。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述检测装置被配置成如果所述第二电压小于所述参考电压则输出具有所述第一逻辑值的所述输出信号,并且如果所述第二电压等于或大于所述参考电压则输出具有所述第二逻辑值的所述输出信号。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其进一步包含:
第一电阻器,其连接在所述第二III族氮化物晶体管的所述源极和所述比较器的所述第二输入之间;以及
第二电阻器,其连接在所述电源和所述第一电阻器之间。
5.根据权利要求4所述的电子装置,其中所述预定值由以下等式确定:
其中Ipeak表示所述预定值、VREF表示所述参考电压、R1表示所述第一电阻器、R2表示所述第二电阻器、VCC表示由所述电源提供的所述所提供的电压以及Rd56n,T1表示当所述第一III族氮化物晶体管导通时所述第一III族氮化物晶体管的等效电阻。
6.根据权利要求4所述的电子装置,其进一步包含:
第四III族氮化物晶体管,其具有连接到所述第一电阻器和所述第二电阻器的漏极、接地的源极;以及
延迟电路,其连接在所述输入装置和所述第四III族氮化物晶体管的栅极之间。
7.根据权利要求6所述的电子装置,其中所述延迟电路进一步包含:
第四反相器,其具有连接到所述输入装置的输入和输出;
第五反相器,其具有连接到所述第四反相器的所述输入的输入和连接到所述第四III族氮化物晶体管的所述栅极的输出;以及
第一电容器,其连接在所述第四反相器的所述输出与地之间。
8.根据权利要求4所述的电子装置,其进一步包含:
第三电阻器,其连接在所述第一电阻器和所述比较器的所述第二输入之间;以及
第二电容器,其连接在所述比较器的所述第二输入和地之间。
9.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述检测装置进一步包含:
第六反相器,其具有连接到所述第一III族氮化物晶体管以接收第四电压的输入和被配置成输出第五电压的输出;以及
第七反相器,其具有被配置成接收所述第五电压的输入和被配置成输出所述输出信号的输出。
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