[发明专利]具有优异的弯曲成形性的CU-CO-SI-FE-P基合金及其生产方法有效

专利信息
申请号: 202080000801.1 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN112055756B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 李诗潭;郭源信;郑元硕 申请(专利权)人: 株式会社豊山
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22B15/00;B21B3/00;B21B37/48
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;康志梅
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 优异 弯曲 成形 cu co si fe 合金 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种用于电子材料的铜合金,所述合金包含:

1.2至2.5质量%的钴(Co);

0.2至1.0质量%的硅(Si);

0.01至0.5质量%的铁(Fe);

0.001至0.2质量%的磷(P);

余量的铜(Cu);

不可避免的杂质;和

0.05质量%以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种;

其中钴(Co)和硅(Si)的含量之和满足关系:1.4≤Co+Si≤3.5,

其中钴(Co)质量与硅(Si)质量之比满足关系:3.5≤Co/Si≤4.5,

其中铁(Fe)质量与磷(P)质量之比满足关系:1.0<Fe/P;

其中所述铜合金包含Co2Si和Fe2P作为沉淀,并且

其中所述铜合金具有双峰结构,在其中各尺寸小于10μm的细晶粒和各尺寸为10至35μm的粗晶粒以混合的方式共存;其中细晶粒的面积为铜合金总面积的0.1%以上。

2.根据权利要求1所述的铜合金,其中,当由所述铜合金制成的片材在轧制垂直和水平方向上经受180°全接触弯曲,弯曲半径R与片材的厚度之间的比R/t设置为0时,所述片材没有裂纹。

3.根据权利要求1所述的铜合金,其中,所述铜合金被实施为片材。

4.一种生产权利要求1-3中任一项所述铜合金的方法,所述方法包括:

(a)熔化并铸造1.2至2.5质量%的钴(Co)、0.2至1.0质量%的硅(Si)、0.01至0.5质量%的铁(Fe)、0.001至0.2质量%的磷(P)、余量的铜(Cu),和0.05质量%以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种,从而获得铸锭;

(b)将所述铸锭在900至1100℃下保持30分钟至4小时,然后热轧所述铸锭以形成产品;

(c)以90%以上的冷轧率对所述产品进行第一次冷轧处理,以形成片材;

(d)在400至800℃下对所述片材进行中间热处理5至500秒;

(e)以70%以下的冷轧率对所述片材进行第二次冷轧处理;

(f)在900至1100℃下对所述片材进行固溶处理5至500秒;

(g)以10%以上的冷轧率对所述片材进行第三次冷轧处理;

(h)进行两阶段沉淀,包括:第一阶段沉淀,其中所述片材在480至600℃下加热1至24小时;以及第二阶段沉淀,其中将所述片材在400至550℃下加热1至24小时;

(i)以5至70%的冷轧率对所述片材进行最终冷轧处理;和

(j)在300至700℃下对所述片材进行应力消除处理2至3000秒。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述两阶段沉淀(h)中,所述第一阶段和第二阶段的加热温度之间的差在40至120℃的范围内。

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