[发明专利]具有优异的弯曲成形性的CU-CO-SI-FE-P基合金及其生产方法有效
申请号: | 202080000801.1 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN112055756B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 李诗潭;郭源信;郑元硕 | 申请(专利权)人: | 株式会社豊山 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22B15/00;B21B3/00;B21B37/48 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;康志梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 优异 弯曲 成形 cu co si fe 合金 及其 生产 方法 | ||
1.一种用于电子材料的铜合金,所述合金包含:
1.2至2.5质量%的钴(Co);
0.2至1.0质量%的硅(Si);
0.01至0.5质量%的铁(Fe);
0.001至0.2质量%的磷(P);
余量的铜(Cu);
不可避免的杂质;和
0.05质量%以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种;
其中钴(Co)和硅(Si)的含量之和满足关系:1.4≤Co+Si≤3.5,
其中钴(Co)质量与硅(Si)质量之比满足关系:3.5≤Co/Si≤4.5,
其中铁(Fe)质量与磷(P)质量之比满足关系:1.0<Fe/P;
其中所述铜合金包含Co2Si和Fe2P作为沉淀,并且
其中所述铜合金具有双峰结构,在其中各尺寸小于10μm的细晶粒和各尺寸为10至35μm的粗晶粒以混合的方式共存;其中细晶粒的面积为铜合金总面积的0.1%以上。
2.根据权利要求1所述的铜合金,其中,当由所述铜合金制成的片材在轧制垂直和水平方向上经受180°全接触弯曲,弯曲半径R与片材的厚度之间的比R/t设置为0时,所述片材没有裂纹。
3.根据权利要求1所述的铜合金,其中,所述铜合金被实施为片材。
4.一种生产权利要求1-3中任一项所述铜合金的方法,所述方法包括:
(a)熔化并铸造1.2至2.5质量%的钴(Co)、0.2至1.0质量%的硅(Si)、0.01至0.5质量%的铁(Fe)、0.001至0.2质量%的磷(P)、余量的铜(Cu),和0.05质量%以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种,从而获得铸锭;
(b)将所述铸锭在900至1100℃下保持30分钟至4小时,然后热轧所述铸锭以形成产品;
(c)以90%以上的冷轧率对所述产品进行第一次冷轧处理,以形成片材;
(d)在400至800℃下对所述片材进行中间热处理5至500秒;
(e)以70%以下的冷轧率对所述片材进行第二次冷轧处理;
(f)在900至1100℃下对所述片材进行固溶处理5至500秒;
(g)以10%以上的冷轧率对所述片材进行第三次冷轧处理;
(h)进行两阶段沉淀,包括:第一阶段沉淀,其中所述片材在480至600℃下加热1至24小时;以及第二阶段沉淀,其中将所述片材在400至550℃下加热1至24小时;
(i)以5至70%的冷轧率对所述片材进行最终冷轧处理;和
(j)在300至700℃下对所述片材进行应力消除处理2至3000秒。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述两阶段沉淀(h)中,所述第一阶段和第二阶段的加热温度之间的差在40至120℃的范围内。
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