[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 202023055501.X | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN213584599U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘朝明;王涛;张鹏 | 申请（专利权）人： | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：
激光器外延结构，所述激光器外延结构包括衬底以及位于所述衬底一侧的多层外延层，多层所述外延层包括中间外延层以及依次位于所述中间外延层远离所述衬底一侧的上光场限制层和上接触层；
位于所述上接触层远离所述衬底一侧的第一电极层；其中，所述第一电极层、所述上接触层和部分所述上光场限制层形成脊形结构；
覆盖剩余部分所述上光场限制层以及所述脊形结构侧壁的第一介质层；
位于所述脊形结构两侧且位于所述第一介质层远离所述衬底一侧的第二电极层；
位于所述衬底远离所述激光器外延结构一侧的第三电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的连接电极；
所述连接电极的厚度大于所述第一电极层的厚度，且所述连接电极在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述脊形结构在所述衬底所在平面上的垂直投影。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述第二电极层与所述连接电极之间的第二介质层。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述中间外延层包括依次设置于所述衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源区和上波导层。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二电极层、所述第一介质层和所述上光场限制层形成金属-绝缘层-半导体结构，所述金属-绝缘层-半导体结构用于外加电压作用下在所述脊形结构两侧的所述上光场限制层和所述上波导层与所述脊形结构下方的所述上光场限制层和所述上波导层之间形成载流子横向扩散势垒。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，位于所述脊形结构两侧所述第二电极层上的外加电压相同或者不相同。
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