[实用新型]研磨盘平坦度测量装置及测量系统

说明书

本实用新型涉及一种研磨盘平坦度测量装置，包括至少一个测量本体，所述测量本体包括能够固定于研磨盘一侧的基座，所述基座上设置有测量杆，所述测量杆上设置有测量部；还包括第一驱动结构和第二驱动结构，所述第一驱动结构用于驱动所述测量杆在水平面内旋转，以使得所述测量杆旋转至研磨盘上的待测区域，所述第二驱动结构用于驱动所述测量部沿着所述测量杆的延伸方向移动，以测量所述待测区域内的平坦度信息；还包括处理结构，用于根据所述测量部的测量结果获得研磨盘的形貌。本实用新型还涉及一种研磨盘平坦度测量系统。

技术领域

本实用新型涉及硅产品制作技术领域，尤其涉及一种研磨盘平坦度测量装置及测量系统。

背景技术

半导体硅片加工主要包括以下几个主要环节：长晶，成型，抛光，清洗，其中成型工序主要用于对产品进行研磨，以求达到目标厚度和直径。

现有的研磨工艺中，常使用行星式研磨加工设备，通过上下两块球磨铸铁定盘辅以砂浆，对硅片的两面进行磨削，使其达到预设的厚度及平坦度。在此加工过程中，定盘本身的平坦度将直接决定硅片研磨后的平坦度，因此，控制定盘表面平坦度是研磨工艺的核心要求。在已有工艺中，通过独立的测量装置，手动测量定盘表面的平坦度，根据测量结果对研磨盘的平坦度进行修正，修正过程中需要反复多次测量，以确保研磨盘修正效果，测量方法操作复杂且效率低下。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种研磨盘平坦度测量装置及测量系统，解决人工测量研磨盘平坦度，效率低的问题。

为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种研磨盘平坦度测量装置，包括至少一个测量本体，所述测量本体包括能够固定于研磨盘一侧的基座，所述基座上设置有测量杆，所述测量杆上设置有测量部；

还包括第一驱动结构和第二驱动结构，所述第一驱动结构用于驱动所述测量杆在水平面内旋转，以使得所述测量杆旋转至研磨盘上的待测区域，所述第二驱动结构用于驱动所述测量部沿着所述测量杆的延伸方向移动，以测量所述待测区域内的平坦度信息；

还包括处理结构，用于根据所述测量部的测量结果获得研磨盘的形貌。

可选的，所述测量部包括激光探头，信号接收器和信号发射器，所述信号接收器用于接收控制信号以控制所述激光探头获得研磨盘的平坦度信息，所述信号发射器用于将所述激光探头获得的平坦度信息发送至所述处理结构。

可选的，所述测量部包括套设于所述测量杆上的滑块，所述滑块的底部设置有所述激光探头，所述滑块的顶部设置有所述信号接收器和所述信号发射器，所述滑块与所述测量杆之间设置有滑轮。

可选的，所述测量杆远离所述基座的一端设置有支撑杆，所述支撑杆用于在所述测量杆旋转至所述待测区域时，支撑所述测量杆以使得所述测量杆与研磨盘平行设置。

可选的，所述支撑杆远离所述测量杆的一端设置有能够在研磨盘的表面滑动的滑轮。

可选的，所述基座和所述测量杆之间设置有加强杆。

本实用新型还提供一种研磨盘平坦度测量系统，包括相对设置的第一研磨盘和第二研磨盘，还包括上述的研磨盘平坦度测量装置，所述研磨盘平坦度测量装置包括至少两个所述测量本体，至少两个所述测量本体中，至少一个所述测量本体用于测量所述第一研磨盘的平坦度信息，至少一个所述测量本体用于测量所述第二研磨盘的平坦度信息。

可选的，研磨盘平坦度测量装置包括第一测量本体和第二测量本体，研磨盘平坦度测量系统还包括：

第三驱动结构，所述第三驱动结构用于控制所述第一研磨盘旋转，所述第一测量本体用于在所述第一研磨盘旋转过程中，每隔预设旋转角度，测量所述第一研磨盘的待测区域的平坦度信息；