[实用新型]一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路

权利要求书

1.一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，包括三相桥驱动芯片、高速二极管、小阻值电阻、三相桥，其特征在于：三相桥驱动芯片（1）安装在电动助力转向系统的控制器中，三相桥驱动芯片（1）的源极分两路分别与高速二极管的阴极、小阻值电阻的一端连接，高速二极管的阳极接地，小阻值电阻的另一端与三相桥场效应管的源极连接。

2.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥的三个上桥场效应管的源极分别与电机的U相、V相、W相连接，上桥场效应管的源极与电机之间采用三相相分离模块连接。

3.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的小阻值电阻的阻值为4Ω~10Ω。

4.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极一（SHU）分两路分别与高速二极管一（D1）的阴极、小阻值电阻一（R1）的一端连接，高速二极管一（D1）的阳极接地，小阻值电阻一（R1）的另一端分别与三相桥场效应管一（Q1）的源极、三相相分离模块场效应管七（Q7）的源极连接，三相相分离模块场效应管七（Q7）的漏极与电机的U相连接。

5.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极二（SHV）分两路分别与高速二极管二（D2）的阴极、小阻值电阻二（R2）的一端连接，高速二极管二（D2）的阳极接地，小阻值电阻二（R2）的另一端分别与三相桥场效应管二（Q2）的源极、三相相分离模块场效应管八（Q8）的源极连接，三相相分离模块场效应管八（Q8）的漏极与电机的V相连接。

6.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极三（SHW）分两路分别与高速二极管三（D3）的阴极、小阻值电阻三（R3）的一端连接，高速二极管三（D3）的阳极接地，小阻值电阻三（R3）的另一端分别与三相桥场效应管三（Q3）的源极、三相相分离模块场效应管九（Q9）的源极连接，三相相分离模块场效应管九（Q9）的漏极与电机的W相连接。

7.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极四（SLU）分两路分别与高速二极管四（D4）的阴极、小阻值电阻四（R4）的一端连接，高速二极管四（D4）的阳极接地，小阻值电阻四（R4）的另一端与三相桥场效应管四（Q4）的源极连接。

8.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极五（SLV）分两路分别与高速二极管五（D5）的阴极、小阻值电阻五（R5）的一端连接，高速二极管五（D5）的阳极接地，小阻值电阻五（R5）的另一端与三相桥场效应管五（Q5）的源极连接。

9.根据权利要求1所述的一种用于电动助力转向系统的驱动芯片源极保护电路，其特征在于：所述的三相桥驱动芯片（1）的源极六（SLW）分两路分别与高速二极管六（D6）的阴极、小阻值电阻六（R6）的一端连接，高速二极管六（D6）的阳极接地，小阻值电阻六（R6）的另一端与三相桥场效应管六（Q6）的源极连接。