[实用新型]一种新型双脊波导双定向耦合器

说明书

本实用新型提供一种新型双脊波导双定向耦合器，包括耦合器主体、上腔体、下腔体、上盖板、下盖板、吸波材料和输出端，上腔体与下腔体连接后形成耦合器主体，耦合器主体内部空间为主线，即上腔体与下腔体组合成主线，上腔体与上盖板连接，下腔体与下盖板连接，耦合器主体上下两侧均设置有副线，两侧的副线分别位于上盖板的下侧和下盖板的上侧，两侧的副线分别与主线耦合，副线一端设置有输出端，另一端设置有吸波材料，副线的b边高度压缩到主线高度的四分之一至三分之二。本实用新型解决了目前的耦合器存在着方向性差、耦合强度低、耦合平坦度差的问题。

技术领域

本实用新型涉及耦合器领域，更具体地涉及一种新型双脊波导双定向耦合器。

背景技术

在微波系统中，往往需将一路微波功率按比例分成几路，这就是功率分配问题。实现这一功能的元件称为功率分配元器件即耦合器，主要包括：定向耦合器、功率分配器以及各种微波分支器件。

目前的耦合器存在着方向性差、耦合强度低的问题，不能应用于需要方向性好、耦合强度高的耦合器的场合，因此，有必要提供一种方向性好、耦合强度高的耦合器，以克服上述问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种新型双脊波导双定向耦合器，以解决目前的耦合器存在着方向性差、耦合强度低、耦合平坦度差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种新型双脊波导双定向耦合器，包括耦合器主体、上腔体、下腔体、上盖板、下盖板、吸波材料和输出端，上腔体与下腔体连接后形成耦合器主体，耦合器主体内部空间为主线，即上腔体与下腔体组合成主线，上腔体与上盖板连接，下腔体与下盖板连接，耦合器主体上下两侧均设置有副线，两侧的副线分别位于上盖板的下侧和下盖板的上侧，两侧的副线分别与主线耦合，副线一端设置有输出端，另一端设置有吸波材料，副线的b边高度压缩到主线高度的四分之一至三分之二。

进一步地，主线为标准的双脊波导的直波导。

进一步地，主线的上下电场面均设置有多个圆形小孔。

进一步地，相邻的圆形小孔的距离为(2n+1)*λ_g/4，n＝0，1，2，3……，λ_g为波长。

进一步地，耦合器主体左右两侧均设置有法兰面。

进一步地，法兰面的平整度为0.02mm，粗糙度为1.6μm。

进一步地，主线的功率通过多孔一定比例地耦合到副线。

进一步地，输出端设置有N-K型接头。

较佳地，本新型耦合器的外部棱边及孔口缘倒角参数为0.3*45度。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：本实用新型的新型耦合器通过上腔体与下腔体连接后形成耦合器主体，耦合器主体内部空间为主线，即上腔体与下腔体组合成主线，上腔体与上盖板连接，下腔体与下盖板连接，耦合器主体上下两侧均设置有副线，两侧的副线分别位于上盖板的下侧和下盖板的上侧，两侧的副线分别与主线耦合，副线一端设置有输出端，另一端设置有吸波材料，副线的b边高度压缩到主线高度的四分之一至三分之二。通过将吸波材料内置，有效缩小整体体积；通过将副线的b边高度压缩到主线高度的四分之一至三分之二，提高了耦合平坦度和方向性，使得本新型耦合器能应用于需要方向性好、耦合平坦度高的耦合器的场合。

附图说明

图1为本实用新型的新型耦合器的结构示意图。

图2为本实用新型的新型耦合器的圆形小孔的分布示意图。

图3为本实用新型的新型耦合器的法兰面的结构示意图。

附图标记：1为上腔体，2为下腔体，3为上盖板，4为下盖板，5为输出端，6为吸波材料，7为圆形小孔，8为法兰面。

具体实施方式