[实用新型]一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备

说明书

本实用新型提供一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，包括由真空腔室壁平面包绕的真空腔室，真空腔室的内部安装有放卷轴和收卷轴，在放卷轴和收卷轴之间还设置有冷却轴，真空腔室壁平面的外侧设有分子泵法兰接口，还设有离子注入法兰接口和磁过滤沉积法兰接口，该用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，通过磁过滤技术，过滤掉弧源产生的大颗粒和中性原子，得到无大颗粒的纯等离子束，可以在低的基体温度下沉积优质涂层，利用磁过滤阴极真空弧制备出高质量的纳米复合膜；通过真空腔室的设计以及电磁场的调整，达到等离子体的长时间大面积稳定引出，使用性能优良。

技术领域

本实用新型涉及覆晶薄膜技术领域，具体为一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备。

背景技术

COF常称覆晶薄膜，是将集成电路(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术，运用软质附加电路板作为封装芯片载体将芯片与软性基板电路结合，或者单指未封装芯片的软质附加电路板。电子产品，尤其是手携式产品，愈来愈走向轻薄短小的设计架构。因此新的材料及组装技术不断推陈出新，COF即为一例。其非常适用于小尺寸面板如手机或PDA等液晶模块产品之应用。COF，即覆晶薄膜，其利用COG技术制程的特点，将软膜具有承载IC及被动组件的能力，并且在可挠折的方面，COF除有助于提升产品功能化、高构装密度化及轻薄短小化外，更可提高产品的附加价值。虽然COF是一种新兴的IC封装技术，但它的工艺制程和传统的FPC及IC安装技术兼容，人们能够用现有的设备生产出COF产品。精细线路的制作随着芯片安装的节距减小和I/O数的增加，对精细线路图形的要求也在增加，要求线宽和间距小于50μm的精细图形。各种电子产品向着更小、更薄、更轻的发展趋势，指导封装技术向着小体积、高密度、可自由安装的方向发展，COF封装技术并已经成为驱动IC封装的主要方式。

目前，FCCL制造工艺中面临的主要问题之一是PI薄膜与铜箔之间的粘结性较差，相比于三层型挠性覆铜板技术，由于三种材料之间的热膨胀系数差异和残余应力效应，致使PI膜易与铜箔开裂脱层；同时由于胶黏剂的热稳定性和韧性较差，导致该类产品满足不了如今下游许多电子产品提出的耐热性和耐挠曲性能的要求。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，解决了上述背景技术中所提到的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种用于COF基板的长距离宽幅柔性无胶基材的制备设备，包括由真空腔室壁平面包绕的真空腔室，所述真空腔室的内部安装有可转动的放卷轴和收卷轴，所述真空腔室在放卷轴和收卷轴之间还设置有若干个可转动的冷却轴，所述真空腔室壁平面的外侧设有分子泵法兰接口，所述真空腔室壁平面的外侧还设有离子注入法兰接口和磁过滤沉积法兰接口，所述离子注入法兰接口连接有离子注入装置，磁过滤沉积法兰接口连接有磁过滤等离子体沉积装置，分子泵法兰接口连接分子泵。

优选的，所述分子泵法兰接口的数量为八个。

优选的，所述离子注入法兰接口的数量为两个。

优选的，所述磁过滤沉积法兰接口的数量为六个。

优选的，所述冷却轴与分子泵法兰接口、离子注入法兰接口或磁过滤沉积法兰接口中的一个或两个正对设置。

优选的，所述放卷轴和收卷轴分别设置于真空腔室内的两端。

优选的，离子注入装置或磁过滤等离子体沉积装置能够单独或同时启动。

优选的，所述磁过滤等离子体沉积装置分别为两组，分别为第一磁过滤等离子体沉积装置和第二磁过滤等离子体沉积装置。

该设备的使用方法具体包括以下步骤：

步骤一：将聚酰亚胺薄膜卷样品清洗烘干；