[实用新型]用于单晶炉的加热器组件和单晶炉

说明书

本实用新型公开了一种用于单晶炉的加热器组件和单晶炉，加热器组件包括：第一加热器和第二加热器，第一加热器包括多个第一加热部，多个第一加热部包括第一加热段和第二加热段，第一加热段的数量和第二加热段的数量相等且在第一加热器的周向上一一交错设置，第一加热段的轴向长度大于第二加热段的轴向长度，且第一加热段的下端位于第二加热段下端的下方，第二加热器间隔设在第一加热器的下方，第二加热器包括多个第二加热部，多个第二加热部包括多个第三加热段，每个第三加热段沿第二加热器的径向延伸，且设在对应第二加热段的正下方。根据本实用新型的用于单晶炉的加热器组件，有利于降低晶棒氧含量，延长坩埚使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及晶体生产设备技术领域，尤其是涉及一种用于单晶炉的加热器组件和单晶炉。

背景技术

相关技术中，单晶硅在生产过程中，石英坩埚在高温情况下会与石英坩埚内的硅熔汤反应，即SiO₂+Si→2Si+O₂，则石英坩埚为单晶硅的生产提供了一定氧，晶棒中的氧含量因此受到影响，使得晶棒中氧含量过高导致晶棒二次缺陷。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种用于单晶炉的加热器组件，所述加热器组件可以改善热场，有利于降低晶棒氧含量，延长坩埚使用寿命。

本实用新型还提出一种具有上述加热器组件的单晶炉。

根据本实用新型第一方面实施例的用于单晶炉的加热器组件，所述单晶炉包括炉体和坩埚，所述坩埚设在所述炉体内，所述加热器组件适于设在所述炉体内，所述加热器组件包括：第一加热器，所述第一加热器适于环绕所述坩埚设置且包括多个第一加热部，多个所述第一加热部包括多个第一加热段和多个第二加热段，所述第一加热段的数量和所述第二加热段的数量相等且在所述第一加热器的周向上一一交错设置，所述第一加热段的轴向长度大于所述第二加热段的轴向长度，且所述第一加热段的下端位于所述第二加热段下端的下方；第二加热器，所述第二加热器形成为环形结构且间隔设在所述第一加热器的下方，所述第二加热器包括多个第二加热部，多个所述第二加热部沿所述第二加热器的周向设置且包括多个第三加热段，每个所述第三加热段沿所述第二加热器的径向延伸，且设在对应所述第二加热段的正下方。

根据本实用新型实施例的用于单晶炉的加热器组件，通过设置第一加热段的轴向长度大于第二加热段的轴向长度、第一加热段的下端位于第二加热段下端的下方，并使得每个第二加热段的正下方设有至少一个第三加热段，使得加热器组件对坩埚加热时，热场供热更加合理、均匀，有利于减少对坩埚的烘烤，减少了坩埚的氧释放量，从而降低了晶棒的氧含量，提升晶棒品质，而且有利于延长坩埚的使用寿命。

在一些实施例中，所述第二加热段的数量与所述第三加热段的数量相等；或者，所述第二加热段的数量小于所述第三加热段的数量；或者，所述第二加热段的数量大于所述第三加热段的数量。

在一些实施例中，所述第一加热段的轴向长度与所述第二加热段的轴向长度之比位于1.1～1.9范围内。

在一些实施例中，所述第一加热段的上端与所述第二加热段的上端齐平设置。

在一些实施例中，多个所述第二加热部还包括：至少一个第四加热段，所述第四加热段沿所述第二加热器的径向延伸，所述第四加热段的轴向长度小于所述第三加热段的轴向长度，且所述第四加热段的上端位于所述第三加热段上端的下方，所述第四加热段设在对应所述第一加热段的正下方。

在一些实施例中，在所述第二加热器的径向上，所述第四加热段的长度小于所述第三加热段的长度。

在一些实施例中，所述第一加热段的数量与所述第四加热段的数量相等；或者，所述第一加热段的数量小于所述第四加热段的数量；或者，所述第一加热段的数量大于所述第四加热段的数量。

在一些实施例中，所述第四加热段的下端与所述第三加热段的下端齐平设置。