[实用新型]一种半导体器件

说明书

本实用新型提供一种半导体器件包括基板、辅助阴极和隔离层；所述辅助阴极设置在所述基板上；所述隔离层包括开槽，所述隔离层的开槽中设置有所述辅助阴极，所述开槽的底部宽度大于所述开槽的顶部宽度。上述技术方案可以提升阴极在工作时的稳定性，避免半导体器件(如显示面板)出现发光不均匀的现象(IR‑Drop现象)。

技术领域

本实用新型涉及半导体制作领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，缩写OLED)器件自从诞生以来，凭借其自发光、轻薄、相应速度快和易于实现柔性的优点，已经广泛应用在显示领域，是目前最有发展前景的显示技术。

OLED器件的发光部分主要有阴极、阳极以及夹在两者之间的有机层构成。在制备OLED器件时，先在制备有阳极的基板上蒸镀有机膜层，然后再蒸镀阴极。OLED器件在工作时，电流从电极注入到有机层形成激子而发光。OLED器件的阳极一般由金属膜层或者ITO构成，阴极一般由金属膜层构成。对于需要从阴极出光的OLED器件，为了保证阴极有良好的透过率，阴极厚度一般控制在之间。薄的阴极有比较大的电阻，在工作时，阴极会产生压降，导致OLED面板出现发光不均匀的现象，即所谓的IR-Drop现象。

OLED器件的尺寸越大，其IR-Drop现象越明显。为了改善这种显示缺陷，引入辅助阴极，即在制备基板的时候，制备一层金属层作为辅助阴极，减少阴极的电阻。但是，如何实现阴极和辅助阴极的有效搭接是制程中的难点。

实用新型内容

为此，需要提供一种半导体器件，解决阴极和辅助阴极无法较好搭接到一起的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种半导体器件，包括基板、辅助阴极和隔离层；

所述辅助阴极设置在所述基板上；

所述隔离层包括开槽，所述隔离层的开槽中设置有所述辅助阴极，所述开槽的底部宽度大于所述开槽的顶部宽度。

进一步地，还包括有机膜层和阴极；

所述机膜层和所述阴极置于开槽中；

所述有机膜层的侧边与开槽底部侧边具有间隙并露出所述辅助阴极；

所述阴极覆盖所述开槽中的有机膜层且侧边通过所述间隙与辅助阴极连接。

进一步地，所述开槽的横截面的形状为梯形。

进一步地，所述半导体器件设置在显示面板上。

区别于现有技术，上述技术方案隔离层阻挡蒸镀材料镀到开槽中的辅助阴极处，起到避免蒸镀材料的浪费，节省了工艺成本，并实现阴极和辅助阴极的有效搭接，提升阴极在工作时的稳定性，避免半导体器件(如显示面板)出现发光不均匀的现象(IR-Drop现象)。

附图说明

图1为本实施制作半导体器件的剖面结构示意图；

图2为本实施例所述半导体器件的结构示意图；

图3为本实施例通过平面蒸发源制作有机膜层的剖面结构示意图；

图4为本实施例所述发光区域和非发光区域的剖面结构示意图。

附图标记说明：

100、半导体器件；

101、非发光区域；

102、发光区域；

200、基板；

201、阴极；

202、辅助阴极；

203、搭接区域；