[实用新型]一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管有效
| 申请号: | 202022207359.X | 申请日: | 2020-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN213879274U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
| 发明(设计)人: | 罗显全;杨秀斌;李大强;廖婷婷 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
| 主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/04;H02H9/02 |
| 代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 |
| 地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电容 大功率 电压 触发 瞬态 抑制 二极管 | ||
本实用新型提供了一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管,包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路,所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。本实用新型主要用于线路中出现大功率脉冲时保护线路后级电路中元器件不被损坏,由于产品的峰值脉冲功率较高,产品结电容低,总等效寄生电容Cj控制在小于200pf的水平上,使得其可以用应用在绝大多数高频电路上。
技术领域
本实用新型涉及一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管。
背景技术
低结电容TVS,其内部利用高压整流二极管来降低芯片电容效应,当要求的瞬态吸收功率加大时,其寄生结电容仍然比较大(200pf以上),在高频大功率浪涌抑制电路上仍然受限。
电压触发型可控硅(TSS)也叫过压保护器。未导通前,寄生结电容低,导通后允许的电流密度高,适合用于高频大功率浪涌电压抑制。但TSS触发工作后,可控硅导通,其导通后两端电压极低,且当触发条件撤销后,如果线路能提供最小维持电流,短路现象将持续存在,因此,TSS仅能用于小输出电流的信号线上。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管。
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
本实用新型提供的一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管,包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路,所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。
所述可控硅电路包括电压触发型双向可控硅SCR,瞬态电压抑制二极管电路包括瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2。
所述瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2分别连接在电压触发型双向可控硅SCR的第二端子和控制极上。
:所述电压触发型双向可控硅SCR的第一端子与瞬态电压抑制二极管VBR1的另一端连接并作为一引线端。
瞬态电压抑制二极管VBR2未连接电压触发型双向可控硅SCR的一端作为二极管的引线端。
本实用新型的有益效果在于:主要用于线路中出现大功率脉冲时保护线路后级电路中元器件不被损坏,由于产品的峰值脉冲功率较高,产品结电容低,总等效寄生电容Cj控制在小于200pf的水平上,使得其可以用应用在绝大多数高频电路上。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案,但要求保护的范围并不局限于所述。
一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管,其特征在于:包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路,所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。
所述可控硅电路包括电压触发型双向可控硅SCR,瞬态电压抑制二极管电路包括瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2。
所述瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2分别连接在电压触发型双向可控硅SCR的第二端子和控制极上。
所述电压触发型双向可控硅SCR的第一端子与瞬态电压抑制二极管VBR1的另一端连接并作为一引线端。
瞬态电压抑制二极管VBR2未连接电压触发型双向可控硅SCR的一端作为二极管的引线端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂),未经中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022207359.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种肛内负压引流管
- 下一篇:一种新型红薯种苗培育装置





