[实用新型]一种包含多种校准类型的晶圆标准样板

说明书

本申请实施例提供一种包含多种校准类型的晶圆标准样板，属于微纳米级精密测量技术领域。包括：基底，所述基底上设置有指引区域与校准区域；所述指引区域包括：指引图案与至少两个凹坑；所述校准区域包括：与每个凹坑配套的标准样板，所述标准样板安装于所述凹坑上；所述指引图案设置于所述凹坑周围，用于在测量仪器对所述标准样板进行定位时，对所述测量仪器的定位起到指示作用。使用本申请提供的包含多种校准类型的晶圆标准样板，可以在保证校准精度的同时，提高校准效率。

技术领域

本申请实施例涉及微纳米级精密测量技术领域，具体而言，涉及一种包含多种校准类型的晶圆标准样板。

背景技术

随着微电子集成电路中结构变得越来越小，使用测量仪器精确地检查和测量这些微小结构变得越来越难。在微电子集成电路产线中，通常使用具有自动装载晶圆功能的测量仪器，来实时检查测量微电子集成电路结构。为了防止干扰或磨损对测量仪器的影响，确保测量仪器的测量准确性，每隔一段时间需要使用标准样板，来测试和校准这类测量仪器。

现有技术中，标准样板上具有校准结构，通过校准结构来测试和校准测量仪器。一块微纳米几何量标准样板通常只包含一种类型或一种尺度的校准结构，也有通过同一种工艺在同一块标准样板上制备出的不同类型或尺度的校准结构。

然而在通过这些校准结构对测量仪器进行校准时，通常需要不同的校准结构来对测量仪器进行校准。若采用一块标准样板对应一种类型的校准结构的方式，则需要频繁更换标准样板来分别对测量仪器进行校准，降低了工作效率；若采用同一种工艺，在标准样板上制备出的不同类型的校准结构，各个不同的校准结构会相互影响，降低了标准样板精度。

实用新型内容

本申请实施例提供一种包含多种校准类型的晶圆标准样板，旨在解决校准效率低，且使用同一工艺造成的校准结构精度低的问题。

本申请实施例提供一种包含多种校准类型的晶圆标准样板，包括：基底，所述基底上设置有指引区域与校准区域；

所述指引区域包括：指引图案与至少两个凹坑；

所述校准区域包括：与每个凹坑配套的标准样板，所述标准样板安装于所述凹坑上；

所述指引图案设置于所述凹坑周围，用于在测量仪器对所述标准样板进行定位时，对所述测量仪器的定位起到指示作用。

可选地，所述不同的凹坑周围设置不同的指引图案。

可选地，所述凹坑的内侧壁设置有若干抵触部，所述若干抵触部凸出于所述凹坑的内侧壁，所述若干抵触部远离所述凹坑的内侧壁的一端分别与所述标准样板的侧壁抵触，以对所述标准样板进行定位。

可选地，所述至少两个凹坑内侧壁未设置有所述抵触部的位置，与所述标准样板的侧壁之间具有间隙。

可选地，所述凹坑的深度大于或等于所述标准样板的厚度。

可选地，所述凹坑在所述基底上的分布方式根据所述凹坑的数量确定：

在所述凹坑的数量为两个时，两个所述凹坑对称设置于所述基底的轴线上；

在所述凹坑的数量为三个时，三个所述凹坑分别等间隔分布于以所述基底中心点为中心的一等边三角形的三个顶角处，或三个所述凹坑等间隔分布于所述基底的轴线上，其中，三个所述凹坑中的一个凹坑位于所述基底的中心处；

在所述凹坑的数量为四个时，所述凹坑分别等间隔地分布在以所述基底为中心的一正方形的四个顶角处；

在所述凹坑的数量为五个时，五个所述凹坑中的一个凹坑位于所述基底的中心处，五个所述凹坑中的四个凹坑等间隔均匀分布于所述一个凹坑的周围。

可选地，所述基底上设置有样板规格，所述样板规格设置于所述标准样板周围，其中，不同的所述标准样板对应不同的所述样板规格。