[实用新型]一种单体多模陶瓷滤波器

说明书

本申请公开了一种单体多模陶瓷滤波器，通过在单体结构的滤波器本体上设置第一单模谐振器、第一多模谐振器、第二单模谐振器、第三单模谐振器、第二多模谐振器与第四单模谐振器，两两谐振器之间通过裁剪形成的耦合结构连接，从而将多个谐振器形成一体成型设置，无需通过焊接或粘贴等拼接方式，从而提高了结构的稳定性，极大地减小滤波器的体积，同时，提高耦合精度和良率，降低了工艺要求。另外，通过单模与多模谐振器组合，不仅降低了滤波器的整体插入损耗，又使其具有较高Q值。

技术领域

本申请涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种单体多模陶瓷滤波器。

背景技术

在通信领域，陶瓷介质滤波器凭借其优异的特性已经成为应用热点，目前陶瓷介质滤波器在形态上有两种主流模式：一种是单体陶瓷滤波器，这种滤波器采用单腔深度加载来实现小型化，但是由于深度加载会导致单腔Q值较低，滤波器的插入损耗大，同时，宽度尺寸偏大；另外一种主流模式是采用多层模式，这种滤波器采用多块陶瓷，通过焊接方式连接，这种模式由于其需要多层焊接，滤波器每个单块陶瓷之间的腔体耦合很难精确控制，影响结构稳定性，增加了成本，同时，其高度尺寸偏大。

为了解决低Q值的问题，多模滤波器是目前的首选方案，但是多模滤波器需要多块陶瓷拼接，通常采用的是多层或者多块焊接的方式。同样使得每个单块陶瓷之间的腔体耦合很难精确控制，结构稳定性较差，且增加了成本。

实用新型内容

本申请提供了一种单体多模陶瓷滤波器，用于解决现有的多模滤波器耦合精度和结构稳定性差且Q值较低的技术问题。

有鉴于此，本申请提供了一种单体多模陶瓷滤波器，包括：滤波器本体；

所述滤波器本体设有第一单模谐振器、第一多模谐振器、第二单模谐振器、第三单模谐振器、第二多模谐振器与第四单模谐振器，所述滤波器本体的表面涂覆有金属导电层；

所述第一单模谐振器与所述第一多模谐振器之间相靠近的表面通过第一耦合结构连接，所述第一单模谐振器、所述第一多模谐振器与所述第一耦合结构一体成型设置；

所述第一多模谐振器与所述第二单模谐振器之间相靠近的表面通过第二耦合结构连接，所述第一多模谐振器、所述第二单模谐振器与所述第二耦合结构一体成型设置；

所述第二单模谐振器与所述第三单模谐振器之间相靠近的表面通过第三耦合结构连接，所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器与所述第三耦合结构一体成型设置；

所述第三单模谐振器与所述第二多模谐振器之间相靠近的表面通过第四耦合结构连接，所述第三单模谐振器、所述第二多模谐振器与所述第四耦合结构一体成型设置；

所述第二多模谐振器与所述第四单模谐振器之间相靠近的表面通过第五耦合结构连接，所述第二多模谐振器、所述第四单模谐振器与所述第五耦合结构一体成型设置；

所述第一耦合结构、所述第二耦合结构、所述第三耦合结构、所述第四耦合结构与所述第五耦合结构均为通过裁剪形成的结构。

优选地，所述第一单模谐振器远离所述第一耦合结构的端面设有第一接头。

优选地，所述第四单模谐振器远离所述第五耦合结构的端面设有第二接头。

优选地，所述第一接头和所述第二接头均为盲孔，所述第一接头和所述第二接头均外接同轴接头，用于导入或导出信号。

优选地，所述第一多模谐振器的体积大于所述第一单模谐振器、所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器和所述第四单模谐振器中任一个谐振器的体积；

所述第二多模谐振器的体积大于所述第一单模谐振器、所述第二单模谐振器、所述第三单模谐振器和所述第四单模谐振器中任一个谐振器的体积。