[实用新型]喷嘴和喷嘴系统

说明书

本实用新型公开一种喷嘴和喷嘴系统，用于向半导体设备中的工艺腔输送气体，所述喷嘴设有第一匀气腔、多个第一送气通道和多个第二送气通道，所述第一匀气腔位于所述喷嘴中，多个所述第一送气通道和多个所述第二送气通道均环绕所述喷嘴的轴线设置，各所述第一送气通道的一端均用于与第一气源连通，各所述第一送气通道的另一端均与所述第一匀气腔连通，各所述第二送气通道的一端均与所述第一匀气腔连通，各所述第二送气通道的另一端均用于与所述工艺腔连通。上述喷嘴可以解决目前喷嘴中因不同的边缘进气孔与送气孔之间的间距不同，导致不同的边缘进气孔内的流量不同，造成工艺腔内的工艺气体的分布均匀性仍相对较差的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种喷嘴和喷嘴系统。

背景技术

在半导体的加工过程中，通常需要借助工艺气体经电离产生的等离子体对被刻蚀材料进行刻蚀。半导体设备中具有工艺腔，一般会借助喷嘴向工艺腔内喷送工艺气体。为了提升工艺腔内工艺气体的分布均匀性，目前的喷嘴通常设有边缘进气结构和中心进气结构，以分别向工艺腔的边缘区域和中心区域喷送工艺气体。由于工艺腔为立体结构，因此，边缘进气结构通常包括多个边缘进气孔，多个边缘进气孔围绕中心进气结构设置，从而借助多个边缘进气孔进一步提升喷送至工艺腔内的工艺气体的均匀程度。目前，一般在喷嘴上方设置气路连接件，气路连接件设有环形连通腔，通过使多个边缘进气孔均与环形连通腔连通，使得仅在气路连接件上设置一个与环形连通腔相互连通的送气孔即可同时为多个边缘进气孔同时送气，从而可以降低为多个边缘进气孔的送气难度。

但是，目前采用的上述技术方案在实施过程中，因送气孔与不同的边缘进气孔之间的路径的长度不同，从而在为多个边缘进气孔送气的过程中，会出现与送气孔之间距离较近的边缘进气孔的流量大于与送气孔之间距离较远的边缘进气孔的流量，从而导致工艺腔内的工艺气体的分布均匀性仍相对较差。

实用新型内容

本实用新型公开一种喷嘴和喷嘴系统，以解决目前喷嘴中因不同的边缘进气孔与送气孔之间的间距不同，导致不同的边缘进气孔内的流量不同，造成工艺腔内的工艺气体的分布均匀性仍相对较差的问题。

为了解决上述问题，本实用新型采用下述技术方案：

第一方面，本实用新型实施例公开一种喷嘴，用于向半导体设备中的工艺腔输送气体，所述喷嘴设有第一匀气腔、多个第一送气通道和多个第二送气通道，所述第一匀气腔位于所述喷嘴中，多个所述第一送气通道和多个所述第二送气通道均环绕所述喷嘴的轴线设置，各所述第一送气通道的一端均用于与第一气源连通，各所述第一送气通道的另一端均与所述第一匀气腔连通，各所述第二送气通道的一端均与所述第一匀气腔连通，各所述第二送气通道的另一端均用于与所述工艺腔连通。

第二方面，本实用新型实施例公开一种喷嘴系统，其包括气路连接件和喷嘴，其中，

所述喷嘴设有第一匀气腔、多个第一送气通道和多个第二送气通道，多个所述第一送气通道均通过所述第一匀气腔与多个第二送气通道连通，所述气路连接件设有第一气源通道，所述第一气源通道用于与第一气源连接，且各所述第一送气通道的一端均与所述第一气源通道连通；

或者，所述喷嘴设有第一匀气腔、第二匀气腔、多个第一送气通道、多个第二送气通道、多个第三送气通道和多个第四送气通道，多个所述第一送气通道均通过所述第一匀气腔与多个第二送气通道连通，多个所述第三送气通道均通过所述第二匀气腔与多个第四送气通道连通，所述气路连接件设有第一气源通道和第二气源通道，所述第一气源通道用于与第一气源连接，且各所述第一送气通道的一端均与所述第一气源通道连通，所述第二气源通道用于与第二气源连接，且各所述第三送气通道的一端均与所述第二气源通道连通。

本实用新型采用的技术方案能够达到以下有益效果：