[实用新型]一种IGBT驱动保护电路装置

说明书

本实用新型公开了一种IGBT驱动保护电路装置，包括保护电路本体和减震箱，所述保护电路本体位于减震箱内，所述保护电路本体固定连接设置有下耳板，所述下耳板上固定连接设置有下转轴，所述下转轴转动连接设置有上滑杆，所述上滑杆滑动连接设置有滑套，所述滑动套内固定连接设置有活动弹簧，所述活动弹簧的另一端固定连接设置在上滑杆上，所述滑套转动连接设置有上转轴，所述上转轴固定连接设置有上耳板，所述上耳板固定连接设置在减震箱内，所述保护电路本体上下两端均固定连接设置有固定减震结构。本实用新型能够有效的克服保护电路本体在横向和纵向上的冲击，避免其因冲击受到损伤而影响其工作效果。

技术领域

本实用新型涉及IGBT驱动电路保护技术领域，具体是一种IGBT驱动保护电路装置。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双 极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导 体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT 广泛应用于功率开关器件。

IGBT驱动保护电路和其他电子元件集成在电路板上，由于电子元件相对比较敏感和脆弱，在受到外界冲击时，容易损坏，造成整块电路板工作异常甚至失效。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种IGBT驱动保护电路装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种IGBT驱动保护电路装置，包括保护电路本体和减震箱，所述保护电路本体位于减震箱内，所述保护电路本体侧面上固定连接设置有下耳板，所述下耳板上固定连接设置有下转轴，所述下转轴转动连接设置有上滑杆，所述上滑杆远离下转轴的一端滑动连接设置有滑套，所述滑套内设置有滑动孔，所述上滑杆远离下转轴的一端位于滑套上设置的滑动孔内，所述滑动孔内固定连接设置有活动弹簧，所述活动弹簧远离滑动孔底部的一端固定连接设置在上滑杆上，所述滑套远离上滑杆的一端转动连接设置有上转轴，所述上转轴固定连接设置有上耳板，所述上耳板固定连接设置在减震箱内部的侧面上，所述保护电路本体上下两端均固定连接设置有固定减震结构，两组所述固定减震结构关于保护电路本体对称设置。

进一步的，所述下耳板、下转轴、上滑杆、滑套、上耳板、上转轴和活动弹簧均设置有两组，且关于保护电路本体对称设置。

进一步的，所述固定减震结构包括固定板、下滑杆和底座，所述固定板固定连接设置在保护电路本体上，所述底座底部固定连接设置有滑块，所述下滑杆设置在固定板和底座之间，所述固定板和竖弹簧固定连接，所述下滑杆和底座滑动连接。

进一步的，所述下滑杆外侧套有竖弹簧，所述竖弹簧位于固定板和底座之间，所述竖弹簧的两端分别固定连接设置在固定板和底座上，所述竖弹簧和下滑杆均设置有两组，且均布设置在固定板和底座之间。

进一步的，所述减震箱包括弹簧孔和滑槽，所述弹簧孔设置有两组，且分别位于滑槽两侧，所述滑槽和滑块滑动连接。

进一步的，所述弹簧孔底部固定连接设置有横弹簧，所述横弹簧远离弹簧孔底部的一端固定连接设置在滑块上。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型能够有效的克服保护电路本体在横向和纵向上的冲击，避免其因冲击受到损伤而影响其工作效果。

附图说明

图1为本实用新型的主剖视图。

图2为本实用新型中主剖视图的A向放大图。

图3为本实用新型中固定减震结构的结构示意图。