[实用新型]一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器有效
| 申请号: | 202021350086.8 | 申请日: | 2020-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN212483846U | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 霍新平;何婉婧;尹汐漾 | 申请(专利权)人: | 成都镭迪昇科技有限公司 |
| 主分类号: | G01S13/04 | 分类号: | G01S13/04;G01S13/93;G01S7/02;G01V3/12;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人: | 邢伟 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 电磁 混合 耦合 滤波器 结构 微波 传感器 | ||
本实用新型公开了一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器,包括混频器单元、信号收发单元和具有电磁混合耦合滤波器结构的振荡器单元;所述振荡器单元,用于产生单频点信号,并分别传输给信号收发单元和混频器单元;所述信号收发单元,将来自振荡器单元的信号对外发送,并接收检测对象的反射信号,传输给混频器单元;所述混频器单元,将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出。本实用新型采用电磁混合耦合结构滤波器做振荡器选频电路,结构简单,带宽窄,Q值高,具有高带外抑制,使振荡器有较好的相位噪声,进而提高了传感器的检测精度。
技术领域
本实用新型涉及微波技术领域,特别是涉及一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器。
背景技术
随着智能家居技术的发展,微波传感器越来越多的应用于智能家居领域,目前一般采用5.8GHz频率检测物体移动,微波移动传感器是利用多普勒效应,由发射模块产生5.8GHz信号,并经过混合环及微带天线发射之后,与接收到的信号进行混频,通过对中频信号进行处理,判断是否有物体移动,是理想的低成本,低功耗,小尺寸移动检测器。广泛应用在物联网智能家电,自动门感应器,灯光控制开关,防盗报警等。和红外传感器比,微波传感器具有,有以下优点,与红外感应模块相比,感应距离更远、角度更广、无死区,无透镜和透镜老化问题;
不受温度、湿度、气流、灰尘、噪声、亮暗等影响,抗干扰能力强;可以穿透亚克力、玻璃以及薄的非金属材料;遇到障碍物易于反射,传输性能良好,易于制造加工,受环境影响小。目前市面上的传感器存在尺寸大,精度差等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器,采用电磁混合耦合结构滤波器做振荡器选频电路,结构简单,带宽窄,Q值高,具有高带外抑制,使振荡器有较好的相位噪声,进而提高了传感器的检测精度。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:一种基于电磁混合耦合滤波器结构的微波传感器,包括混频器单元、信号收发单元和具有电磁混合耦合滤波器结构的振荡器单元;
所述振荡器单元,用于产生单频点信号,并分别传输给信号收发单元和混频器单元;
所述信号收发单元,将来自振荡器单元的信号对外发送,并接收检测对象的反射信号,传输给混频器单元;
所述混频器单元,将来自振荡器单元和信号收发单元的信号进行混频后对外输出;
所述振荡器单元包括电磁混合耦合滤波器U1和三极管Q1,所述三极管Q1的集电极通过第一电阻R1连接到VCC供电端口,所述第一电阻R1和VCC供电端口的公共端通过第一电容C1接地,所述三极管Q1的集电极还分别通过第二电容C2和第四电容C4接地;所述三极管Q1的基极通过第三电容C3接地,三级管Q1的发射极直接接地;所述电磁混合耦合滤波器U1的一端与三极管Q1的基极连接,电磁混合耦合滤波器U1的另一端与三极管Q1的集电极连接;所述电磁混合耦合滤波器U1的两端还并联有第二电阻R2;所述三极管Q1的基极作为振荡器单元的输出端,分别与所述信号收发单元和混频器单元连接。
优选地,所述信号收发单元为天线单元,所述天线单元可以采用微带天线、偶极子天线、单极子天线和螺旋天线中的一种;所述电磁混合耦合滤波器U1包括接地通孔和关于接地通孔对称的两组耦合带线;每一组耦合带线均包括一段电耦合微带线和一段磁耦合微带线,在同一组耦合带线中,所述磁耦合微带线的一端与接地通孔连接,另一端与电耦合微带线连接;
两段所述的电耦合微带线正对,且两段电耦合微带线的缝隙位于接地通孔的正上方,两段电耦合微带线的缝隙之间产生电耦合;两段磁耦合微带线连接所述接地通孔产生磁耦合,进行形成了电磁耦合混合滤波器U1;所述接地通孔为金属化过孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都镭迪昇科技有限公司,未经成都镭迪昇科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021350086.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





