[实用新型]边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线有效
| 申请号: | 202021346849.1 | 申请日: | 2020-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN212848802U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 邹高迪;邹新 | 申请(专利权)人: | 深圳迈睿智能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q23/00;G01S7/02 |
| 代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 李高峰;孟湘明 |
| 地址: | 518127 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 边沿 馈电 正交 极化 抗干扰 微波 探测 天线 | ||
1.边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其特征在于,包括:
一辐射板,其中所述辐射板包括一辐射板基板、一辐射源、以及一金属连接板,其中所述辐射源和所述金属连接板以被分别承载于所述辐射源基板的两相对面的状态被所述辐射源基板相间隔,其中所述辐射源具有一接地点,其中所述辐射源于所述接地点被接地;
一参考地板,其中所述辐射板被固定于所述参考地板;
一第一馈电单元以及一第二馈电单元,所述第一馈电单元和所述第二馈电单元于所述辐射板基板的设置有所述辐射源的一面以微带线形式分别与所述辐射源的两相邻边相间隔地被设置,对应形成所述第一馈电单元和所述第二馈电单元相正交的位置关系而在所述第一馈电单元和所述第二馈电单元被馈电时,所述辐射源能够产生正交的极化关系。
2.根据权利要求1所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述参考地板包括一参考地基板、一参考地金属板以及一电路层,其中所述参考地金属板和所述电路层被所述参考地基板间隔地设置于所述参考地基板的两侧,其中所述参考地金属板被电性连接于所述电路层的地级,其中所述金属连接板被固定和被电性连接于所述参考地金属板而形成所述辐射板被固定于所述参考地板的结构状态和所述金属连接板被接地的状态。
3.根据权利要求2所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述辐射板和所述参考地板在所述金属连接板和所述参考地金属板直接导电贴合的状态被压合而相固定。
4.根据权利要求2所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述辐射板和所述参考地板在所述金属连接板和所述参考地金属板之间以P片隔离的状态被压合而相固定。
5.根据权利要求4所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述金属连接板以金属化过孔的结构被电性连接于所述参考地金属板而被接地。
6.根据权利要求2所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述金属连接板和所述参考地金属板为隔离于所述辐射板基板和所述参考地基板之间的同一金属板。
7.根据权利要求2至6中任一所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述辐射源被实施为矩形金属板而具有一第一边和相邻且垂直于所述第一边的一第二边,其中所述第一馈电单元具有一第一耦合段,所述第二馈电单元具有一第二耦合段,其中所述第一耦合段和所述第二耦合段分别以平行于所述辐射源的所述第一边和所述第二边的状态被间隔保持于所述辐射源的所述第一边和所述第二边,对应于所述第一馈电单元与所述辐射源之间形成有一第一间隙,和于所述第二馈电单元与所述辐射源之间形成有一第二间隙。
8.根据权利要求7所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述第一间隙的宽度H1和所述第二间隙的宽度H2满足λ/1025≤H1≤λ/4和λ/1025≤H2≤λ/4,其中λ为与所述第一馈电单元和所述第二馈电单元被馈电时的馈电频率相对应的波长参数。
9.根据权利要求8所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述第一馈电单元进一步具有一第一馈电段和位于所述第一馈电段的一第一馈电点,所述第二馈电单元进一步具有一第二馈电段和位于所述第二馈电段的一第二馈电点,其中所述第一馈电段和所述第二馈电段分别以背离所述辐射源的所述第一边和所述第二边的方向一体延伸于所述第一耦合段和所述第二耦合段。
10.根据权利要求9所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述第一馈电点和所述辐射源的物理中心点的连线垂直于所述第二馈电点和所述辐射源的物理中心点的连线,即所述第一馈电段和所述第二馈电段分别一体延伸于所述第一耦合段的中部位置和所述第二耦合段的中部位置。
11.根据权利要求10所述的边沿馈电的正交极化抗干扰微波探测天线,其中所述接地点位于所述辐射源的物理中心点,其中所述辐射源于所述接地点以电性连接于所述金属连接板的状态被接地。
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