[实用新型]一种屏蔽片碎磁压花辊有效

专利信息
申请号: 202021343327.6 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN213732713U 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 姜桂君;蔡鹏;周苗苗;王磊 申请(专利权)人: 信维通信(江苏)有限公司
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 王芳
地址: 213000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 屏蔽 片碎磁 压花
【说明书】:

实用新型公开了一种屏蔽片碎磁压花辊,包括本体,所述本体上设有压花区,所述压花区包括密集排布的凹陷的多个单元格,所述单元格呈六边形。本屏蔽片碎磁压花辊具有六边形压花,经过本屏蔽片碎磁压花辊滚压后的纳米晶片上能够形成密集均匀排布的多个六边形结构的小单元,小单元纳米晶状态保存相对完好,小单元纳米晶上裂纹较少,相邻的小单元之间形成气隙,相比于菱形压花、点状压花等传统的压花形状,经过本屏蔽片碎磁压花辊碎磁的纳米晶片损耗更低、抗直流偏置特性更优秀。

技术领域

本实用新型涉及屏蔽片加工技术领域,尤其涉及一种屏蔽片碎磁压花辊。

背景技术

近年来,随着智能手机无线充电功能的逐渐普及,无线充电技术以惊人的速度发展。纳米晶有较高的磁导率和饱和磁感应强度,是较为理想的导磁和电磁屏蔽材料。但是纳米晶具有电阻率小、损耗高的特性,这种特性会降低无线充电模组的充电效率,因此需要对纳米晶进行进一步处理,引入气隙,将纳米晶分割成一个个小的单元,从而减少充电过程中的损耗,提高充电效率。

手机等电子产品对于屏蔽片的厚度要求越来越薄,而为了增加人们对于无线充电的体验,无线充电模组的充电功率要求越来越大,因此对于纳米晶电磁屏蔽材料的厚度、损耗、直流偏置性能要求越来越高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种屏蔽片碎磁压花辊,经由该屏蔽片碎磁压花辊碎磁的屏蔽片具有损耗低、抗直流偏置特性良好的优势。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种屏蔽片碎磁压花辊,包括本体,所述本体上设有压花区,所述压花区包括密集排布的凹陷的多个单元格,所述单元格呈六边形。

进一步的,所述单元格相连的两条边之间的夹角为120°±0.2°。

进一步的,所述单元格呈正六边形。

进一步的,所述压花区呈蜂窝状。

进一步的,任意两个所述单元格的边长相等。

进一步的,所述单元格的边长为0.10mm-5.00mm。

进一步的,所述单元格通过CNC加工成型或雕刻成型。

进一步的,相邻的两个所述单元格之间具有凸条,所述凸条的宽度为0.01mm-0.10mm。

进一步的,所述凸条的宽度为0.05mm。

进一步的,所述本体包括同轴设置的轴部和筒部,所述筒部的直径大于所述轴部的直径,所述筒部设于所述轴部上,所述压花区设于所述筒部的外周壁。

本实用新型的有益效果在于:

本屏蔽片碎磁压花辊具有六边形压花,经过本屏蔽片碎磁压花辊滚压后的纳米晶片上能够形成密集均匀排布的多个六边形结构的小单元,小单元纳米晶状态保存相对完好,小单元纳米晶上裂纹较少,相邻的小单元之间形成气隙,相比于菱形压花、点状压花等传统的压花形状,经过本屏蔽片碎磁压花辊碎磁的纳米晶片损耗更低、抗直流偏置特性更优秀。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的屏蔽片碎磁压花辊的俯视图;

图2为本实用新型实施例一的屏蔽片碎磁压花辊上的单元格及其周围的凸条的结构示意图。

标号说明:

1、轴部;

2、筒部;

3、压花区;

4、单元格;

5、凸条。

具体实施方式

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