[实用新型]一种冲击电流峰值及上升斜率抑制电路

权利要求书

1.一种冲击电流峰值及上升斜率抑制电路，包括模拟直流电压源和开关SS1，开关SS1的两端连接模拟直流电压源的正极输入端和正极输出端，其特征在于，还包括MOS管Q1、滤波电容C2以及驱动电路，所述驱动电路包括电阻R2、稳压管D2、电容C1以及电阻R1，所述电阻R1的一端连接所述模拟直流电压源的正极输出端，另一端通过所述电阻R2连接模拟直流电压源的负极输入端，所述稳压管D2和电容C1与电阻R2并联；所述MOS管Q1的栅极连接电阻R1和电阻R2之间的节点，MOS管Q1的源极和漏极串联在模拟直流电压源的负极输入端和负极输出端之间；所述滤波电容C2设于所述模拟直流电压源的正极输出端和负极输出端之间；还包括功率电感L1和功率电阻R3，所述功率电感L1和功率电阻R3串联后并联于所述MOS管Q1的源极和漏极之间。

2.根据权利要求1所述的一种冲击电流峰值及上升斜率抑制电路，其特征在于，所述开关SS1为空气开关。

3.根据权利要求1所述的一种冲击电流峰值及上升斜率抑制电路，其特征在于，所述MOS管Q1为N沟通MOSFET，所述MOS管Q1的源极连接所述模拟直流电压源的负极输入端，所述MOS管Q1的漏极连接所述模拟直流电压源的负极输出端。