[实用新型]一种变频器的驱动电路有效

专利信息
申请号: 202021223151.0 申请日: 2020-06-28
公开(公告)号: CN212115148U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 肖至恢 申请(专利权)人: 深圳市美捷伟技术有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/38;H02M1/32
代理公司: 深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555 代理人: 陈文姬
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 变频器 驱动 电路
【说明书】:

实用新型涉及IGBT驱动技术领域,公开了一种驱动性能较佳且输出脉冲信号稳定的变频器的驱动电路,具备:用于形成并输出电平信号的微处理器(DSP)及用于接收电平信号的第一场效应管(VT101);当电平信号为高电平时,高电平经反相器(U101)反转后用于关闭第一场效应管(VT101),第一三极管(Q101)导通,微处理器(DSP)输出的驱动信号使一IGBT导通;当电平信号为低电平时,低电平经反相器(U101)反转后用于触发第一场效应管(VT101),以使得一IGBT关断。

技术领域

本实用新型涉及IGBT驱动技术领域,更具体地说,涉及一种变频器的驱动电路。

背景技术

变频器是通过改变工作电源频率的方式来控制交流电动机的电力控制设备。目前,驱动电路通过输出PWM驱动脉冲进行控制IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor--绝缘栅双极型晶体管)导通或截止时,由于驱动电路的驱动能力较差,导致IGBT桥臂的交替状态较差。

因此,如何提高驱动电路的驱动性能成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述驱动电路的驱动能力较差,导致IGBT桥臂的交替状态较差的缺陷,提供一种驱动性能较佳且输出脉冲信号稳定的变频器的驱动电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种变频器的驱动电路,具备:

微处理器,其配置于驱动电路内,用于形成并输出电平信号;

反相器,其输入端耦接于所述微处理器的一信号输出端,用于接收所述电平信号;

光电耦合器,其输入端与所述反相器的信号输出端连接,用于接收经反相后的所述电平信号;

第一场效应管,其栅极与所述光电耦合器的一信号输出端连接,用于接收所述电平信号;

第一三极管,其基极与集电极分别与所述微处理器的驱动端连接,所述第一三极管的发射极分别与所述第一场效应管的漏极及一IGBT的栅极连接;

当所述电平信号为高电平时,所述高电平经所述反相器反转后用于关闭所述第一场效应管,所述第一三极管导通,所述微处理器输出的驱动信号使一所述IGBT导通;

当所述电平信号为低电平时,所述低电平经所述反相器反转后用于触发所述第一场效应管,以使得一所述IGBT关断。

在一些实施方式中,还包括第二场效应管、第三场效应管及第三三极管,

所述第二场效应管的栅极与所述微处理器的另一信号输出端连接,用于接收所述微处理器输出的电平信号;

所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接,所述第二场效应管及所述第三场效应管的源极分别与另一IGBT的发射极连接,

所述第三三极管的基极与集电极分别与所述微处理器的驱动端连接,所述第三三极管的发射极与所述第三场效应管的漏极及另一所述IGBT的栅极连接。

在一些实施方式中,还包括第二三极管及第一二极管,

所述第二三极管的基极与所述光电耦合器的一信号输出端及所述第一二极管的阴极连接,

所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的发射极及所述第一二极管的阳极连接,

所述第二三极管的发射极与所述第一场效应管的源极连接。

在一些实施方式中,还包括第二二极管,所述第二二极管的阳极与所述微处理器的驱动端连接,

所述第二二极管的阴极耦接于所述第一三极管的集电极。

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