[实用新型]一种变频器的驱动电路有效
| 申请号: | 202021223151.0 | 申请日: | 2020-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN212115148U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 肖至恢 | 申请(专利权)人: | 深圳市美捷伟技术有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/38;H02M1/32 |
| 代理公司: | 深圳市鼎泰正和知识产权代理事务所(普通合伙) 44555 | 代理人: | 陈文姬 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 变频器 驱动 电路 | ||
1.一种变频器的驱动电路,其特征在于,具备:
微处理器,其配置于驱动电路内,用于形成并输出电平信号;
反相器,其输入端耦接于所述微处理器的一信号输出端,用于接收所述电平信号;
光电耦合器,其输入端与所述反相器的信号输出端连接,用于接收经反相后的所述电平信号;
第一场效应管,其栅极与所述光电耦合器的一信号输出端连接,用于接收所述电平信号;
第一三极管,其基极与集电极分别与所述微处理器的驱动端连接,所述第一三极管的发射极分别与所述第一场效应管的漏极及一IGBT的栅极连接;
当所述电平信号为高电平时,所述高电平经所述反相器反转后用于关闭所述第一场效应管,所述第一三极管导通,所述微处理器输出的驱动信号使一所述IGBT导通;
当所述电平信号为低电平时,所述低电平经所述反相器反转后用于触发所述第一场效应管,以使得一所述IGBT关断。
2.根据权利要求1所述的变频器的驱动电路,其特征在于,
还包括第二场效应管、第三场效应管及第三三极管,
所述第二场效应管的栅极与所述微处理器的另一信号输出端连接,用于接收所述微处理器输出的电平信号;
所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极连接,所述第二场效应管及所述第三场效应管的源极分别与另一IGBT的发射极连接,
所述第三三极管的基极与集电极分别与所述微处理器的驱动端连接,所述第三三极管的发射极与所述第三场效应管的漏极及另一所述IGBT的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的变频器的驱动电路,其特征在于,
还包括第二三极管及第一二极管,
所述第二三极管的基极与所述光电耦合器的一信号输出端及所述第一二极管的阴极连接,
所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的发射极及所述第一二极管的阳极连接,
所述第二三极管的发射极与所述第一场效应管的源极连接。
4.根据权利要求2或3所述的变频器的驱动电路,其特征在于,
还包括第二二极管,所述第二二极管的阳极与所述微处理器的驱动端连接,
所述第二二极管的阴极耦接于所述第一三极管的集电极。
5.根据权利要求2或3所述的变频器的驱动电路,其特征在于,
还包括第一稳压二极管,所述第一稳压二极管的阳极与一所述IGBT的发射极连接,
所述第一稳压二极管的阴极与一所述IGBT的栅极连接。
6.根据权利要求5所述的变频器的驱动电路,其特征在于,
还包括并联连接的第八电阻及第五电容,
所述第八电阻及所述第五电容的一端分别与所述第一三极管的发射极连接;
所述第八电阻的另一端与一所述IGBT的栅极连接,
所述第五电容的另一端与一所述IGBT的发射极连接。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





