[实用新型]一种硅基滤波芯片器件

权利要求书

1.一种硅基滤波芯片器件，其特征在于，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；

所述第一谐振器位于所述硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；

所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；

所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；

所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。

2.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器和所述第二谐振器之间具有二氧化硅基材。

3.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器、第二谐振器和介质层的外围形成有环形地，所述环形地用于隔离杂波。

4.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一、第二谐振器均由磁电耦合传输线围成，所述第一谐振器关于纵向轴线对称，所述第二谐振器关于纵向轴线对称。

5.根据权利要求4所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线重叠，所述第一谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线对应。

6.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第一凸状结构、第二凸状结构、第一凹状结构、第一传输端和第二传输端，所述第一凹状结构连接所述第一凸状结构和所述第二凸状结构，所述第一传输端连接于所述第一凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位，所述第二传输端连接于所述第二凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位。

7.根据权利要求1或6所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第二谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第三凸状结构、第二凹状结构和第三凹状结构，所述第三凸状结构连接所述第二凹状结构和所述第三凹状结构。

8.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有相对设置的第四凸状结构和第五凸状结构，相对设置的第六凸状结构和第七凸状结构，第一传输端和第二传输端；

所述第四凸状结构和第六凸状结构均位于上侧且相邻设置，所述第四凸状结构和第六凸状结构之间由磁电耦合传输线连接以形成一凹状结构；

所述第五凸状结构和第七凸状结构均位于下侧且相邻设置；

所述第四凸状结构和第五凸状结构的一侧连接设置，所述第一传输端位于所述第四凸状结构和第五凸状结构的连接线中间部位，所述第六凸状结构和第七凸状结构的一侧连接设置，所述第二传输端位于所述第六凸状结构和第七凸状结构的连接线中间部位。

9.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述介质层由二氧化硅基材组成。

10.根据权利要求1所述的硅基滤波芯片器件，其特征在于，所述衬底层由高阻硅组成。