[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 202021125419.7 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN212934628U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 鲍少娟;王继磊;贾慧君;杨骥;黄金;张娟;白焱辉;高勇 | 申请（专利权）人： | 晋能光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/05 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，包括电池本体(1)和在所述电池本体(1)表面上形成的栅线电极(2)，其特征在于，所述电池本体(1)的表面设有凹槽(3)，所述栅线电极(2)设置在相邻凹槽一(31)、凹槽二(32)的区域内，嵌入同一个栅线电极(2)的相邻凹槽(3)对称设置在所述栅线电极(2)的两侧。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池，其特征在于，所述电池本体(1)包括：单晶硅片衬底(100)，依次设置在衬底正面的本征非晶硅层一(101)、掺杂层一(102)、TCO层一(103)，依次设置在衬底背面的本征非晶硅层二(111)、掺杂层二(112)、TCO层二(113)；所述栅线电极(2)包括正面金属栅线电极(21)和背面金属栅线电极(22)。
3.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽(3)的底部开设在单晶硅片衬底(100)上，凹槽(3)的深度大于衬底正面的本征非晶硅层一(101)、掺杂层一(102)、TCO层一(103)的总厚度，也大于背面的本征非晶硅层二(111)、掺杂层二(112)、TCO层二(113)的总厚度。
4.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽(3)的侧剖形状包括方形、梯形、弧形。
5.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽(3)包括连续式、斑点式、间断式。
6.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽(3)深度为3-60μm，所述凹槽(3)的开口宽度为3-100μm，所述凹槽一(31)与凹槽二(32)的中心间距为20-100μm。
7.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述栅线电极(2)的宽度为8-70μm。
8.根据权利要求1-2任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述栅线电极(2)为主栅线电极或副栅线电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
