[实用新型]干扰抑制用X电容装置及使用该X电容装置的电气设备

权利要求书

1.一种干扰抑制用X电容装置，其特征在于，包括：

X电容主体(10)，由所述X电容主体(10)的电极连接出多个延伸引脚(11,12);

自泄放电路组件(20)，与所述延伸引脚(11,12)短接;

封胶体(30)，密封所述X电容主体(10)与所述自泄放电路组件(20)，所述封胶体(30)还密封所述延伸引脚(11,12)与所述自泄放电路组件(20)的短接点(13)，所述延伸引脚(11,12)外露于所述封胶体(30)。

2.根据权利要求1所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述自泄放电路组件(20)包括内置电路板(21)、设置于所述内置电路板(21)上的并联电阻(22)、设置于所述内置电路板(21)上并与所述并联电阻(22)串联的控制器芯片装置(23)，在所述内置电路板(21)内形成有泄放电路(24)，所述泄放电路(24)的短接端点(25)位于所述内置电路板(21)的两侧，供所述延伸引脚(11,12)的短接。

3.根据权利要求2所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述短接端点(25)的形状是环形焊盘，所述延伸引脚(11,12)穿入所述短接端点(25)的部位与所述短接端点(25)焊接;所述内置电路板(21)用于安装所述并联电阻(22)与所述控制器芯片装置(23)的表面背向所述X电容主体(10)。

4.根据权利要求2所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述延伸引脚(11,12)的数量只有两个，所述并联电阻(22)的电阻并联数量是大于等于2。

5.根据权利要求2所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述并联电阻(22)为多组配置在所述控制器芯片装置(23)的两侧，所述泄放电路(24)包括用于连接所述控制器芯片装置(23)与所述并联电阻(22)的内汇集桥(26)，所述控制器芯片装置(23)的一侧芯片接点(23A)与对应组所述并联电阻(22)的内侧电阻接点(22A)都位于所述内汇集桥(26)上。

6.根据权利要求5所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述泄放电路(24)还包括用于连接所述并联电阻(22)与所述短接端点(25)的外汇集桥(27)，对应组所述并联电阻(22)的外侧电阻接点(22B)与所述短接端点(25)都位于所述外汇集桥(27)上;所述控制器芯片装置(23)具有一次封装结构，所述封胶体(30)为二次封装结构，还密封所述控制器芯片装置(23)。

7.根据权利要求1所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，还包括:电容器外壳(40)，所述X电容主体(10)安装在所述电容器外壳(40)内，所述封胶体(30)灌注形成在所述电容器外壳(40)内。

8.根据权利要求7所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，所述X电容主体(10)的表面形成有真空浸渍层(14);具体地，所述X电容主体(10)由金属化聚丙烯薄膜卷收成卷所形成。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的干扰抑制用X电容装置，其特征在于，当所述干扰抑制用X电容装置安装在外部印刷电路板，电源切断时，由所述X电容主体(10)至所述自泄放电路组件(20)自动形成所述干扰抑制用X电容装置内的自体电量泄放。

10.一种电气设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的干扰抑制用X电容装置。