[实用新型]一种自锁保护电流唤醒电路有效

专利信息
申请号: 202021051483.5 申请日: 2020-06-10
公开(公告)号: CN212588102U 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 王德源;陈沛华 申请(专利权)人: 广东思诺伟智能技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;B62J43/16;B60L58/10
代理公司: 东莞卓为知识产权代理事务所(普通合伙) 44429 代理人: 齐海迪
地址: 523000 广东省东莞市南城街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电流 唤醒 电路
【权利要求书】:

1.一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:包括控制器、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、三极管Q4、MOS管Q5、分压模块、热敏元件Fp1以及电阻Ry4;所述控制器的输出端用于控制三极管Q4的通断;所述三极管Q4用于控制MOS管Q3的通断;所述三极管Q2通过分压模块控制MOS管Q3的通断;所述三极管Q1用于控制三极管Q2的通断;所述MOS管Q3用于控制MOS管Q5的通断;所述MOS管Q5的开关端的一端通过热敏元件Fp1接地;所述MOS管Q5的开关端的另一端用于与负载连接;所述三极管Q1的输出端与控制器的输入端连接;所述热敏元件Fp1通过电阻Ry4控制三极管Q1的通断。

2.根据权利要求1所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:所述控制器为MCU单片机。

3.根据权利要求1所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:所述三极管Q4为PNP三极管;所述三极管Q1以及三极管Q2均为NPN三极管。

4.根据权利要求1所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:所述热敏元件Fp1为PTC。

5.根据权利要求1所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:所述分压模块包括电阻Ry1以及电阻Ry6;

所述三极管Q4的基极与控制器的输出端连接;所述三极管Q4的集电极与MOS管Q3的栅极连接;所述三极管Q4的发射极与MOS管Q3的源极连接;所述三极管Q4的发射极接电源;所述三极管Q4的发射极通过电阻Ry1与MOS管Q3的栅极连接;所述MOS管Q3的漏极与MOS管Q3的栅极连接;所述三极管Q2的发射极接地;所述三极管Q2的集电极依次通过电阻Ry6以及电阻Ry1接电源;所述三极管Q2的基极与三极管Q1的集电极连接;所述MOS管Q5的漏极用于与负载连接;所述MOS管Q5的源极通过热敏元件Fp1接地;所述MOS管Q5的源极通过电阻Ry4与三极管Q1的基极连接;所述三极管Q1的发射极接地;所述三极管Q1的集电极与控制器的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:还包括电阻Ry5;所述控制器的输出端通过电阻Ry5与三极管Q4的基极连接。

7.根据权利要求5所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:还包括电阻Ry2;所述三极管Q2的基极通过电阻Ry2接电源。

8.根据权利要求5所述的一种自锁保护电流唤醒电路,其特征在于:还包括电阻Ry3;所述MOS管Q5的漏极通过电阻Ry3与负载连接。

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