[实用新型]一种基于可控硅浪涌保护电路

说明书

本实用新型涉及过压保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅浪涌保护电路，包括高压可控硅Q和TVS触发管D，所述高压可控硅Q与设备的两端串联连接，所述TVS触发管D与设备的两端串联连接，所述高压可控硅Q的一端与TVS触发管D的一端串联，所述高压可控硅Q和TVS触发管D的另一端分别与设备的两端串联连接，所述高压可控硅Q的内部设有稳压二极管。本实用新型由于可控导通时，高压可控硅Q承受电流大，所以吸收的浪涌功率比较传统的TVS、MOV、GDT、SPG、TSS都要大的多，使用TVS触发管D或高压可控硅Q上的稳压二极管触发，反应速度比MOV、GDT快，使用更加灵活方便。

技术领域

本实用新型涉及过压保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅浪涌保护电路。

背景技术

目前用于浪涌过压保护的电路主要由TVS、MOV、GDT、SPG、TSS。TVS、 SPG、TSS速度快但吸收能量小，MOV、GDT吸收能量大但反应速度慢，且触发寿命有次数限制。

实用新型内容

本实用新型提供了一种基于可控硅浪涌保护电路，具备反应速度快的优点，解决了现在的浪涌过压保护电路吸收能量大但反应速度慢，且触发寿命有次数限制问题。

为实现上述技术问题，本实用新型提供了这样一种基于可控硅浪涌保护电路，包括高压可控硅Q和TVS触发管D，所述高压可控硅Q与设备的两端串联连接，所述TVS触发管D与设备的两端串联连接；

所述高压可控硅Q的一端与TVS触发管D的一端串联，所述高压可控硅Q 和TVS触发管D的另一端分别与设备的两端串联连接。

在直流电路浪涌只有一个方向时采用单向模式1，单向模式1由一个单向高压可控硅Q和一个单向TVS触发管D组成。

在直流电路浪涌有正负两个方向时，可以采用单向模式2，单向模式2中高压可控硅Q采用双向高压可控硅。

在交流场合时，使用双向模式1和双向模式2，所述双向模式1中，高压可控硅Q采用双向高压可控硅，TVS触发管D采用双向TVS触发管，所述双向模式2中，高压可控硅Q采用双向高压可控硅，触发回路由TVS触发管D1和 TVS触发管D2串联组成，TVS触发管D1、TVS触发管D2阳极-阳极对接或者阴极-阴极对接的串联方式，TVS触发管D1和TVS触发管D2为单向TVS触发管。

进一步地，所述高压可控硅Q的内部设有稳压二极管。

借由上述技术方案，本实用新型本实用新型提供了一种基于可控硅浪涌保护电路，至少具备以下有益效果：

1、该基于可控硅浪涌保护电路，由于可控导通时，高压可控硅Q承受电流大，所以吸收的浪涌功率比较传统的TVS、MOV、GDT、SPG、TSS都要大的多。

2、该基于可控硅浪涌保护电路，使用TVS触发管D或高压可控硅Q上的稳压二极管触发，反应速度比MOV、GDT快。

3、该基于可控硅浪涌保护电路，可以根据实际使用选择不同功率的高压可控硅Q和不同电压的TVS触发管D，使用更加灵活方便。

4、该基于可控硅浪涌保护电路，比起MOV、GDT触发次数几乎不受限制，使用寿命远大与MOV、GDT，使用高压可控硅Q或TVS触发管D组合实现浪涌吸收保护。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分：

图1为本实用新型电路图；

图2为本实用新型单向模式1电路图；

图3为本实用新型单向模式2电路图；

图4为本实用新型双向模式1电路图；

图5为本实用新型实施例四中双向模式2电路图；