[实用新型]一种基于可控硅浪涌保护电路

权利要求书

1.一种基于可控硅浪涌保护电路，包括高压可控硅Q和TVS触发管D，其特征在于：所述高压可控硅Q与设备的两端串联连接，所述TVS触发管D与设备的两端串联连接；

所述高压可控硅Q的一端与TVS触发管D的一端串联连接，所述高压可控硅Q和TVS触发管D的另一端分别与设备的两端串联连接；

在直流电路浪涌只有一个方向时采用单向模式1，单向模式1由一个单向高压可控硅Q和一个单向TVS触发管D组成；

在直流电路浪涌有正负两个方向时，可以采用单向模式2，单向模式2中高压可控硅Q采用双向高压可控硅；

在交流场合时，使用双向模式1和双向模式2，所述双向模式1中，高压可控硅Q采用双向高压可控硅，TVS触发管D采用双向TVS触发管，所述双向模式2中，高压可控硅Q采用双向高压可控硅，触发回路由TVS触发管D1和TVS触发管D2串联组成，TVS触发管D1、TVS触发管D2阳极-阳极对接或者阴极-阴极对接的串联方式，TVS触发管D1和TVS触发管D2为单向TVS触发管。

2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅浪涌保护电路，其特征在于：所述高压可控硅Q的内部设有稳压二极管。