[实用新型]一种陶瓷劈刀有效
| 申请号: | 202020939875.9 | 申请日: | 2020-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN212342572U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | 郑镇宏;黄雪云 | 申请(专利权)人: | 潮州三环(集团)股份有限公司;南充三环电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K20/10;B23K20/26 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
| 地址: | 515646 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 陶瓷 劈刀 | ||
本实用新型公开了一种陶瓷劈刀,所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔,所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸,所述劈刀的锥角TA为13°~17°。该劈刀的加工难度小,适用于小型芯片和小型电极的引线键合,可在保证引线键合强度的情况下,减小超声传导,参数可调范围大,从而在引线键合过程中不会损伤焊线,降低了劈刀焊嘴的磨损,增加了劈刀的使用寿命,还减小了焊球的大小,不易出现滑球和挤电极的情况,降低了键合不良率。
技术领域
本实用新型涉及一种键合工具,尤其涉及一种陶瓷劈刀。
背景技术
引线键合是封装内部连接的主流方式,使用热、压力和超声波能量将键合引线与金属焊盘紧密焊合,实现芯片间、芯片与封装体间的信号传输。劈刀是引线键合过程中的重要工具,其性能决定了键合的可靠性。
目前,对于小型芯片和小型电极的引线键合,如尺寸为4mil×5mil和3.3mil×5mil的芯片,以及尺寸为38微米、40微米或更小的电极,一般使用TA为20°的陶瓷劈刀,如图1所示。该劈刀的超声传导较大,参数可调范围小,容易出现滑球和挤电极的情况,从而造成应用端漏电等问题。为此,有一些厂家改用具有瓶颈部的陶瓷劈刀,以减小劈刀尖端的面积,但是陶瓷劈刀的瓶颈部较脆弱,容易断折,且瓶颈部在生产过程中的加工难度较大,会提高生产成本。
实用新型内容
为解决上述现有技术中存在的缺点和不足,本实用新型的目的在于提供一种陶瓷劈刀。该陶瓷劈刀容易制造,超声传导较小,参数可调范围大,适用于小型芯片和小型电极的引线键合,有效降低了引线键合不良率。
为达到其目的,本实用新型所采用的技术方案为:
一种陶瓷劈刀,所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔,所述孔沿本体的纵轴和焊嘴延伸,所述劈刀的锥角TA为13°~17°。
优选地,所述劈刀的锥角TA为14°~16°。
最优选地,所述劈刀的锥角TA为15°。
使用时,陶瓷劈刀安装在焊线机的超声波换能器上,超声波通过陶瓷劈刀垂直向下传输,超声波从劈刀的锥面开始衰减。由于陶瓷劈刀的总长度是一致的,而本实用新型通过将陶瓷劈刀的锥角调小,使得陶瓷劈刀的圆柱体部分的长度变小,焊嘴(即锥面)的长度变大,因此,在焊接时,本实用新型的陶瓷劈刀能更快地进行超声波衰减,且衰减里程更长,最终总衰减程度比锥角为TA20°的陶瓷劈刀更大。
但若劈刀的锥角过小,会导致超声波传导过弱,从而影响键合效果。当陶瓷劈刀的锥角TA为13°~17°时,在小型芯片和小型电极的引线键合过程中,可适当减小超声传导,从而减小焊球大小,不易出现滑球和挤电极的情况,且键合强度较好。尤其,当陶瓷劈刀的锥角TA为15°时,键合强度和键合不良率能达到较好的平衡,使用效果最好。
有益效果:本实用新型的陶瓷劈刀的锥角为13°~17°,最优选为15°,该劈刀的加工难度小,适用于小型芯片(如尺寸为4mil×5mil和3.3mil×5mil的芯片)和小型电极(如尺寸为38微米和40微米的电极)的引线键合,可在保证引线键合强度的情况下,减小超声传导,参数可调范围大,从而在引线键合过程中不会损伤焊线,降低了劈刀焊嘴的磨损,增加了劈刀的使用寿命,还减小了焊球的大小,不易出现滑球和挤电极的情况,降低了键合不良率。
本领域技术人员应理解,本申请所述的参数可调范围大是指焊线机的参数可调范围大。
附图说明
图1为现有TA为20°的陶瓷劈刀的结构示意图;
图2为本实用新型所述陶瓷劈刀的结构示意图。
图中,本体1、焊嘴2。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





