[实用新型]一种高光束质量的激光器有效

专利信息
申请号: 202020934080.9 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN212676602U 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 许建锋 申请(专利权)人: 青岛镭创光电技术有限公司
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;H01S3/06;H01S3/0933
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 马金华
地址: 266107 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 光束 质量 激光器
【权利要求书】:

1.一种高光束质量的激光器,其特征在于,包括受激晶体及至少一个的半导体二极管(1)、耦合镜系统(2)和滤光片(3),所述半导体二极管(1)、所述耦合镜系统(2)及所述受激晶体沿同一光路方向依次设置,所述受激晶体包括与所述耦合镜系统(2)相对的S1面、及背离所述耦合镜系统(2)并与所述S1面同向相对的S2面,所述S1面及所述S2面均设置有具备泵浦光高透射性、基频光高反射性、倍频光高透射性的第一镀膜,所述耦合镜系统(2)和所述受激晶体之间设置有所述滤光片(3),所述滤光片(3)与所述受激晶体相对的反射面设置有具备泵浦光高透射性、倍频光高反射性的第二镀膜、与所述耦合镜系统(2)相对的入射面设置有具备泵浦光高透射性的第三镀膜,上述滤光片(3)的反射面与所述受激晶体的入射面形成的夹角为钝角。

2.如权利要求1所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述半导体二极管(1)、所述耦合镜系统(2)及所述滤光片(3)均设置有两个形成两组光源,所述两组光源分别位于所述受激晶体的两侧、与所述S1面和所述S2面一一对应。

3.如权利要求1所述的高光束质量的激光器,其特征在于,还包括有用于将所述S1面及所述S2面射出的光进行合束的合束组件。

4.如权利要求3所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述合束组件包括有第一反射镜(5)、第二反射镜(7)、λ/2波片(6)及偏振合束片(8),所述第一反射镜(5)位于所述滤光片(3)的反射光路上,所述λ/2波片(6)位于所述第一反射镜(5)的输出光路上,所述第二反射镜(7)位于所述λ/2波片(6)的输出光路上,所述偏振合束片(8)位于所述S1面或所述S2面的输出光路上,且所述偏振合束片(8)的出射面与所述第二反射镜(7)的镜面相对设置。

5.如权利要求4所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述滤光片(3)的反射面与所述受激晶体的入射面呈45度相交状态,所述第一反射镜(5)及所述第二反射镜(7)均设置为平面反射镜,所述第一反射镜(5)的镜面与所述滤光片(3)的反射面呈垂直相交状态,且所述第二反射镜(7)的镜面及所述第一反射镜(5)的镜面呈垂直相交状态,所述偏振合束片(8)的出射面与所述第二反射镜(7)的镜面呈相平行状态,所述偏振合束片(8)的入射面与所述受激晶体的出射面呈45度相交状态。

6.如权利要求1所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述受激晶体设置为自倍频晶体(4)。

7.如权利要求1所述的高光束质量的激光器,其特征在于,耦合镜系统(2)设置为单耦合镜或组合镜。

8.如权利要求6所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述自倍频晶体(4)的基质材料设置为三硼酸钙氧钆或三硼酸钙氧钇。

9.如权利要求8所述的高光束质量的激光器,其特征在于,所述自倍频晶体(4)中掺杂的粒子为钕或镱。

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