[实用新型]一种射频低噪声放大器

说明书

本实用新型公开了一种射频低噪声放大器，包括外壳体，外壳体一侧安装射频信号输入端，外壳体另一侧安装射频信号输出端，外壳体内腔安装有干扰信号过滤模块、电源模块、信号优化模块，射频信号输出端通过干扰信号过滤模块连接信号优化模块，信号优化模块连接射频信号输出端，电源模块分别电性连接干扰信号过滤模块和信号优化模块，本实用新型结构设计新颖，能够实现对射频信号的快速传输，而且抗干扰能力强，提高射频信号输出质量。

技术领域

本实用新型涉及放大器技术领域，具体为一种射频低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器为有源工作设备，为保证其实现放大功能，安装完成后需要供给其合适的工作电源，目前的低噪声放大器抗干扰性能差，因此，有必要进行改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种射频低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种射频低噪声放大器，包括外壳体，所述外壳体一侧安装射频信号输入端，所述外壳体另一侧安装射频信号输出端，所述外壳体内腔安装有干扰信号过滤模块、电源模块、信号优化模块，所述射频信号输入端通过干扰信号过滤模块连接信号优化模块，所述信号优化模块连接射频信号输出端，所述电源模块分别电性连接干扰信号过滤模块和信号优化模块。

优选的，所述信号优化模块包括运算放大器A和运算放大器B，所述运算放大器A正极输入端分别连接电阻D一端和电阻E一端，负极输入端分别连接电阻F一端和电阻G一端，所述运算放大器A输出端分别连接电阻G另一端、电阻H一端和电阻O一端，所述运算放大器B正极输入端通过电阻I接地，负极输入端分别连接电容B一端和电阻J一端，电容B另一端连接电阻H另一端，所述运算放大器B输出端分别连接电阻J另一端和电阻K一端，所述电阻K另一端连接电阻L一端，电阻L另一端连接三极管B基极，所述三极管B发射极通过电阻N接地，集电极连接电阻M一端，电阻M另一端连接电感B一端，所述电阻O另一端连接三极管A基极，所述三极管A发射极通过电阻C接地，集电极连接电阻B一端，电阻B另一端连接电感A一端。

优选的，所述干扰信号过滤模块包括降压芯片、电容C、电容D、电容E 和电容F，所述降压芯片Vin端分别连接电容C一端和电容D一端，Vout端分别连接电容E和电容F一端，GND端接地，所述电容C、电容D、电容E和电容F另一端均接地。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构设计新颖，能够实现对射频信号的快速传输，而且抗干扰能力强，提高射频信号输出质量；其中，本实用新型采用的信号优化模块能够增强射频信号，能够对电流波动进行及时分流缓冲，从而达到了降低连接在输出端上的两个运算放大器之间的信号电流的波动强度的目的，提高了抗干扰性能；此外，本实用新型采用的干扰信号过滤模块能够滤除高频信号，进一步提高信号输出质量。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型信号优化模块电路图；

图3为本实用新型干扰信号过滤模块电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。