[实用新型]一种射频低噪声放大器

权利要求书

1.一种射频低噪声放大器，包括外壳体(1)，其特征在于：所述外壳体(1)一侧安装射频信号输入端(2)，所述外壳体(1)另一侧安装射频信号输出端(3)，所述外壳体(1)内腔安装有干扰信号过滤模块(4)、电源模块(5)、信号优化模块(6)，所述射频信号输入端(2)通过干扰信号过滤模块(4)连接信号优化模块(6)，所述信号优化模块(6)连接射频信号输出端(3)，所述电源模块(5)分别电性连接干扰信号过滤模块(4)和信号优化模块(6)。

2.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器，其特征在于：所述信号优化模块包括运算放大器A(1d)和运算放大器B(2d)，所述运算放大器A(1d)正极输入端分别连接电阻D(4a)一端和电阻E(5a)一端，负极输入端分别连接电阻F(6a)一端和电阻G(7a)一端，所述运算放大器A(1d)输出端分别连接电阻G(7a)另一端、电阻H(8a)一端和电阻O(15a)一端，所述运算放大器B(2d)正极输入端通过电阻I(9a)接地，负极输入端分别连接电容B(2b)一端和电阻J(10a)一端，电容B(2b)另一端连接电阻H(8a)另一端，所述运算放大器B(2d)输出端分别连接电阻J(10a)另一端和电阻K(11a)一端，所述电阻K(11a)另一端连接电阻L(12a)一端，电阻L(12a)另一端连接三极管B(2e)基极，所述三极管B(2e)发射极通过电阻N(14a)接地，集电极连接电阻M(13a)一端，电阻M(13a)另一端连接电感B(2c)一端，所述电阻O(15a)另一端连接三极管A(1e)基极，所述三极管A(1e)发射极通过电阻C(3a)接地，集电极连接电阻B(2a)一端，电阻B(2a)另一端连接电感A(1c)一端。

3.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器，其特征在于：所述干扰信号过滤模块(4)包括降压芯片(7)、电容C(3b)、电容D(4b)、电容E(5b)和电容F(6b)，所述降压芯片(7)Vin端分别连接电容C(3b)一端和电容D(4b)一端，Vout端分别连接电容E(5b)和电容F(6b)一端，GND端接地，所述电容C(3b)、电容D(4b)、电容E(5b)和电容F(6b)另一端均接地。