[实用新型]一种三电平变频器结构有效
申请号: | 202020735902.0 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN211744334U | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 王亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市智鼎驱动技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 商祥淑 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 变频器 结构 | ||
本实用新型涉及工业自动化技术领域,具体为一种三电平变频器结构,包括多组模块组合和直流电容组件,所述模块组合包括三个IGBT模块,所述IGBT模块设有三个接线端子,其中两个所述IGBT模块并排排列,另一个所述IGBT模块垂直设置于其余两个IGBT模块,三个所述IGBT模块之间通过接线端子并联连接有叠层铜排,所述叠层铜排连接有叠层母排;多组所述模块组合通过叠层母排连接有一体式叠层母排,所述一体式叠层母排与直流电容组件连接,两个并排排列的IGBT模块通过接线端子连接有吸收电容组件;本实用新型从电容容量利用率、线路寄生电感、减小电流回路等多方面进行改善,有效的降低了模块电压应力,使变频器运行更稳定。
技术领域
本实用新型涉及工业自动化技术领域,具体为一种三电平变频器结构。
背景技术
三电平变频器是一种特殊的工业产品,有别于市场上常见的通用两电平产品。其回路结构具有回路结构复杂,使用模块多的特点。这就造成了电气回路中寄生了大量的电感,再由于变频器核心器件IGBT工作在高频开关的状态下,在综合作用下就在模块上产生了电压尖峰。如果在设计时不考虑寄生参数的影响,产品难以稳定运行。
现有技术采用的模块布局结构具有电流回路电流大,模块距离电容远的特点。或其他形式的单相分组电容布局方式又影响了电容容量和直流能量的输出,造成母线电压偏低,而组间连接铜排承受电压发热。
而通常处理该问题的方法是采用叠层母排或一体式模块的形式来降低寄生参数,这种方法实际效果有限并且成本很高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种三电平变频器结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种三电平变频器结构,包括多组模块组合和直流电容组件,所述模块组合包括三个IGBT模块,所述IGBT模块设有三个接线端子,其中两个所述IGBT模块并排排列,另一个所述IGBT模块垂直设置于其余两个IGBT模块,三个所述IGBT模块之间通过接线端子并联连接有叠层铜排,所述叠层铜排连接有叠层母排;多组所述模块组合通过叠层母排连接有一体式叠层母排,所述一体式叠层母排与直流电容组件连接,两个并排排列的IGBT模块通过接线端子连接有吸收电容组件。
优选的,所述IGBT模块的三个接线端子分别为OUT端子、负极端子和正极端子。
优选的,所述直流电容组件包括多个直流电容,多个所述直流电容并排排列并与一体式叠层母排并联连接。
优选的,所述吸收电容组件包括多个吸收电容,多个所述吸收电容通过正极端子和负极端子并联连接于IGBT模块。
优选的,所述叠层铜排包括正极铜排和负极铜排,所述正极铜排和负极铜排之间设有绝缘层,所述正极铜排连接一组IGBT模块的正极端子和一组IGBT模块的OUT端子,所述负极铜排连接一组IGBT模块的负极端子和另一组IGBT模块的OUT端子。
优选的,一组所述IGBT模块的OUT端子连接有输出铜排。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型的IGBT模块布局方式、IGBT模块连接铜排叠层处理、铜排电流正向和反向重叠设计、单相模块组合单元就近连接直流支撑电容,区别于传统的电路结构,有效的避免现有技术母线电压偏低,而组间连接铜排承受电压发热的问题,从电容容量利用率、线路寄生电感、减小电流回路等多方面进行改善,有效的降低了模块电压应力,使变频器运行更稳定。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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