[实用新型]一种三电平变频器结构有效
| 申请号： | 202020735902.0 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN211744334U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王亮 | 申请（专利权）人： | 深圳市智鼎驱动技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 商祥淑 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电平 变频器 结构 | ||
1.一种三电平变频器结构，包括多组模块组合和直流电容组件，所述模块组合包括三个IGBT模块(1)，所述IGBT模块(1)设有三个接线端子(2)，其特征在于，其中两个所述IGBT模块(1)并排排列，另一个所述IGBT模块(1)垂直设置于其余两个IGBT模块(1)，三个所述IGBT模块(1)之间通过接线端子(2)并联连接有叠层铜排(3)，所述叠层铜排(3)连接有叠层母排(4)；多组所述模块组合通过叠层母排(4)连接有一体式叠层母排(5)，所述一体式叠层母排(5)与直流电容组件连接，两个并排排列的IGBT模块(1)通过接线端子(2)连接有吸收电容组件。
2.根据权利要求1所述的一种三电平变频器结构，其特征在于，所述IGBT模块(1)的三个接线端子(2)分别为OUT端子、负极端子和正极端子。
3.根据权利要求2所述的一种三电平变频器结构，其特征在于，所述直流电容组件包括多个直流电容(6)，多个所述直流电容(6)并排排列并与一体式叠层母排(5)并联连接。
4.根据权利要求2所述的一种三电平变频器结构，其特征在于，所述吸收电容组件包括多个吸收电容(7)，多个所述吸收电容(7)通过正极端子和负极端子并联连接于IGBT模块(1)。
5.根据权利要求2所述的一种三电平变频器结构，其特征在于，所述叠层铜排(3)包括正极铜排和负极铜排，所述正极铜排和负极铜排之间设有绝缘层，所述正极铜排连接一组IGBT模块(1)的正极端子和一组IGBT模块(1)的OUT端子，所述负极铜排连接一组IGBT模块(1)的负极端子和另一组IGBT模块(1)的OUT端子。
6.根据权利要求1所述的一种三电平变频器结构，其特征在于，一组所述IGBT模块(1)的OUT端子连接有输出铜排(8)。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
