[实用新型]一种预埋式电容耦合传感器有效
| 申请号： | 202020722170.1 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN212514856U | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李红雷;贺林;胡正勇 | 申请（专利权）人： | 国网上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R1/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 叶敏华 |
| 地址： | 200122 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 预埋式 电容 耦合 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种预埋式电容耦合传感器，其特征在于，包括预埋在电缆靠近接头(7)位置处的金属屏蔽层(1)、电容耦合器(2)、外半导电层(3)、绝缘层(4)、金属箔片贴和信号输出导线(6)，所述绝缘层(4)包围在电缆的导线芯(5)外部，所述外半导电层(3)包围在绝缘层(4)外部，所述金属箔片设于外半导电层(3)上，所述电容耦合器(2)连接外半导电层(3)，所述金属屏蔽层(1)连接外半导电层(3)，并设于电容耦合器(2)两侧，所述金属屏蔽层(1)接地，所述电容耦合器(2)的BNC头连接信号输出导线(6)，所述电容耦合器(2)通过信号输出导线(6)连接同轴电缆(10)。
2.根据权利要求1所述的一种预埋式电容耦合传感器，其特征在于，设于电容耦合器(2)两侧的中断的金属屏蔽层(1)通过导线连接。
3.根据权利要求1所述的一种预埋式电容耦合传感器，其特征在于，所述外半导电层(3)的阻抗小于绝缘层(4)的阻抗。
4.根据权利要求1所述的一种预埋式电容耦合传感器，其特征在于，所述绝缘层(4)采用XLPE绝缘层。
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