[实用新型]一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路有效
| 申请号: | 202020676348.3 | 申请日: | 2020-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN211670845U | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
| 发明(设计)人: | 龚加伟 | 申请(专利权)人: | 成都明夷电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司: | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 尹玉 |
| 地址: | 610041 四川省成都市自由贸易*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 cmos 逻辑 io 输入 控制电路 | ||
1.一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,包括第一反相器、第二反相器、电压调节电路,所述电压调节电路与第一反相器串联,并与第二反相器并联,所述电压调节电路的电流为在基准处获得的基准电流I0。
2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,所述电压调节电路包括电阻R0以及场效应晶体管M1、M2;所述场效应晶体管M1与电阻R0串联,且与场效应晶体管M2连接构成源跟随器;所述场效应晶体管M2与第一反相器串联,并与第二反相器并联;基准电流I0流经场效应晶体管M1和电阻R0;通过调节R0或I0得到第一反相器的源电压。
3.根据权利要求2所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,所述场效应晶体管M1、M2分别为金属氧化物半导体场效应晶体管,电阻R0为高精度多晶硅电阻。
4.根据权利要求2或3所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,控制电路中使用的NMOS管的衬底为P型半导体,金属氧化物半导体场效应晶体管M1、M2的衬底接在了地电位上。
5.根据权利要求4所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,所述NMOS管为有额外阱的NMOS管,使用带有深阱的管子把此NOMS管的衬底接在源级上。
6.根据权利要求5所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,使用一个开环的运放接收输入端的信号。
7.根据权利要求1所述的一种基于CMOS的逻辑IO口输入幅值控制电路,其特征在于,所述电压调节电路的电流来自恒温系数的电流源。
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