[实用新型]具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路有效

专利信息
申请号: 202020633106.6 申请日: 2020-04-24
公开(公告)号: CN213092190U 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 张侨;陆建华 申请(专利权)人: 上海安其威微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/569 分类号: G05F1/569
代理公司: 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 代理人: 俞江
地址: 200131 上海市浦东新区自由贸易*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 保护 功能 低压 线性 稳压器 电路
【说明书】:

本实用新型公开了一种具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路,属于集成电路设计技术领域。低压差线性稳压器电路包括稳压电路和过充保护电路;过充保护电路包括RC电路、第一电阻、第一开关和第二电阻;RC电路的第一端口与稳压电路的输出端口相连,RC电路的第二端口与第一开关的第一端口相连,RC电路的第三端口接地;第一电阻的第一端口与稳压电路的输出端口相连,第一电阻的第二端口与第一开关的第二端口相连;第二电阻的第一端口与第一开关的第三端口相连,第二电阻的第二端口接地;稳压电路中输出端口的电压小于稳压电路中负载的击穿电压。本实用新型能降低上电时稳压电路的输出端口输出的电压,从而保护稳压电路上挂的负载。

技术领域

本实用新型实施例涉及集成电路设计技术领域,特别涉及一种具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路。

背景技术

图1示出了一种经典的LDO(Low Drop Out Linear Voltage Regulator,低压差线性稳压器)电路,该LDO电路包括OPA(Operational Amplifier,运算放大器)、PMOS(P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,P沟道金属氧化物半导体场效应)管M1、电阻R1、电阻R2和电容C1,其中,OPA 的反相输入端口输入参考电压VBG,输出端口V1与M1的栅极相连,M1的源极与电源VDD相连,M1的漏极分别与输出节点VO和R1的一个端口相连, R1的另一个端口与R2的一个端口相连,R1和R2的连接节点与OPA的同向输入端口相连,C1的一个端口与输出节点VO相连,C1的另一个端口与R2的另一个端口共同接地。

在上电之前,上述LDO电路中所有节点的电压为0V;在上电时,由于上电速度过快,且OPA的带宽有限,所以,V1的电压来不及调整而升高,使得 M1被打开,这样,过高的VDD将通过M1传递到VO上。虽然通常认为这个快速的瞬态上电过充是一个短时的输出过充电压,在短时间内对LDO电路的输出端口上挂的负载没有多大的影响。但是对于一个具有宽电源电压输入范围的 LDO电路而言,输出电压在瞬间可能过充的很高,若负载上挂载的器件是低压器件,那么,在多次反复上电的情况下,低压器件还是可以被过大的冲击电压持续击打而损坏。

为了在上电时进行过充保护,现有的一种解决思路是增大C1的电容值,由于C1在上电瞬间是交流响应,所以,C1会形成一个低导通阻抗,与M1分压,从而拉低VO上的输出电压。但是,过大的电容是不容易驱动的,且会影响LDO 电路的稳定性。

发明内容

本实用新型实施例提供了一种具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路,用于解决通过增大LDO电路中电容的电容值来进行过充保护时,电容不容易驱动且会影响LDO电路的稳定性的问题。所述技术方案如下:

第一方面,提供了一种具有过充保护功能的低压差线性稳压器电路,所述低压差线性稳压器电路包括稳压电路和过充保护电路;

所述过充保护电路包括RC电路和分压电路,所述分压电路包括第一电阻、第一开关和第二电阻;

所述RC电路的第一端口与所述稳压电路的输出端口相连,所述RC电路的第二端口与所述第一开关的第一端口相连,所述RC电路的第三端口接地;

所述第一电阻的第一端口与所述稳压电路的输出端口相连,所述第一电阻的第二端口与所述第一开关的第二端口相连;

所述第二电阻的第一端口与所述第一开关的第三端口相连,所述第二电阻的第二端口接地;

其中,所述稳压电路中输出端口的电压小于所述稳压电路中负载的击穿电压。

在一个可选的实施方式中,所述第一开关为第一PMOS管或第一PNP型三极管,则所述第一电阻的阻值为零,且所述第二电阻的阻值大于或等于零。

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