[实用新型]低失调的跨导线性环偏置的AB类放大器

说明书

低失调的跨导线性环偏置的AB类放大器，涉及集成电路。本实用新型在第七MOS管和第九MOS管之间，顺次串联有第十三MOS管、第十五MOS管、第十七MOS管、第十九MOS管，第七MOS管和第十三MOS管的连接点通过第一电容连接到第五MOS管的栅极，第九MOS管和第十九MOS管的连接点通过第二电容连接到第五MOS管的栅极，第十五MOS管和第十七MOS管的连接点直接连接到第五MOS管的栅极；在第八MOS管和第二十MOS管之间，设置有第十八MOS管。本实用新型提高了运放架构的对称性，有效减小了运放的输入失调电压。

技术领域

本实用新型涉及集成电路。

背景技术

参见图1，现有的传统的通过跨导线性环来偏置的AB类运算放大器架构由于电路对称性较差，引入了一定的误差，在不进行修调的情况下，已无法满足应用市场对运放低失调电压的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，克服现有架构的不足，通过改变跨导线性环的实现方式来提高电路结构的对称性，进而减小运放的输入失调电压，以满足集成电路设计的特殊的需求。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，低失调的跨导线性环偏置的AB类放大器，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第二十四MOS管、第二十五MOS管、第二十六MOS管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第四电流源、第五电流源和第六电流源；

第五MOS管、第七MOS管和第九MOS管顺次串联于VDD输入端和第三电流源之间，第六MOS管、第八MOS管和第十MOS管顺次串联于VDD输入端和第四电流源的输入端之间，第二十四MOS管和第二十五MOS管顺次串联于第五电流源的输出端和VSS端之间，第二十六MOS管和第二十一MOS管顺次串联于VDD输入端和第六电流源的输入端之间，第五MOS管和第六MOS管栅极相接，第十四MOS管设置于第八MOS管的输出端和第十MOS管的输入端之间；

其特征在于，在第七MOS管和第九MOS管之间，顺次串联有第十三MOS管、第十五MOS管、第十七MOS管、第十九MOS管，第七MOS管和第十三MOS管的连接点通过第一电容连接到第五MOS管的栅极，第九MOS管和第十九MOS管的连接点通过第二电容连接到第五MOS管的栅极，第十五MOS管和第十七MOS管的连接点直接连接到第五MOS管的栅极；

在第八MOS管和第二十MOS管之间，设置有第十八MOS管，第十四MOS管通过第十六MOS管连接到第十MOS管的输入端；

第二十二MOS管和第一电阻R顺次串联于第二十一MOS管和第六电流源之间，第十三MOS管、第十四MOS管、第二十一MOS管的栅极连接第二十二MOS管的输出端，第十五MOS管、第十六MOS管、第二十二MOS管的栅极连接第六电流源的输入端；

第二电阻R和第二十三MOS管顺次串联于第五电流源第二十四MOS管之间，第十七MOS管、第十八MOS管、第二十三MOS管的栅极连接第五电流源的输出端，第十九MOS管、第二十MOS管、第二十四MOS管的栅极连接第二十三MOS管的输入端。

本实用新型的有益效果是提高了运放架构的对称性，有效减小了运放的输入失调电压。

附图说明

图1是现有技术的电路图。

图2是本实用新型的电路图。

具体实施方式