[实用新型]低失调的跨导线性环偏置的AB类放大器有效
| 申请号： | 202020495437.8 | 申请日： | 2020-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN211930596U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;汪强;刘文军;张忆 | 申请（专利权）人： | 成都环宇芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 失调 导线 偏置 ab 放大器 | ||
1.低失调的跨导线性环偏置的AB类放大器，包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)、第十一MOS管(M11)、第十二MOS管(M12)、第十四MOS管(M14)、第二十MOS管(M20)、第二十一MOS管(M21)、第二十四MOS管(M24)、第二十五MOS管(M25)、第二十六MOS管(M26)、第一电流源(Ib1)、第二电流源(Ib2)、第三电流源(Ib3)、第四电流源(Ib4)、第五电流源(Ib5)和第六电流源(Ib6)，
第五MOS管(M5)、第七MOS管(M7)和第九MOS管(M9)顺次串联于VDD输入端和第三电流源(Ib3)之间，第六MOS管(M6)、第八MOS管(M8)和第十MOS管(M10)顺次串联于VDD输入端和第四电流源(Ib4)的输入端之间，第二十四MOS管(M24)和第二十五MOS管(M25)顺次串联于第五电流源(Ib5)的输出端和VSS端之间，第二十六MOS管(M26)和第二十一MOS管(M21)顺次串联于VDD输入端和第六电流源(Ib6)的输入端之间，第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)栅极相接，第十四MOS管(M14)设置于第八MOS管(M8)的输出端和第十MOS管(M10)的输入端之间，
其特征在于，在第七MOS管(M7)和第九MOS管(M9)之间，顺次串联有第十三MOS管(M13)、第十五MOS管(M15)、第十七MOS管(M17)、第十九MOS管(M19)，第七MOS管(M7)和第十三MOS管(M13)的连接点通过第一电容连接到第五MOS管(M5)的栅极，第九MOS管(M9)和第十九MOS管(M19)的连接点通过第二电容连接到第五MOS管(M5)的栅极，第十五MOS管(M15)和第十七MOS管(M17)的连接点直接连接到第五MOS管(M5)的栅极；
在第八MOS管(M8)和第二十MOS管(M20)之间，设置有第十八MOS管(M18)，第十四MOS管(M14)通过第十六MOS管(M16)连接到第十MOS管(M10)的输入端，
第二十二MOS管(M22)和第一电阻(R1)顺次串联于第二十一MOS管(M21)和第六电流源(Ib6)之间，第十三MOS管(M13)、第十四MOS管(M14)、第二十一MOS管(M21)的栅极连接第二十二MOS管(M22)的输出端，第十五MOS管(M15)、第十六MOS管(M16)、第二十二MOS管(M22)的栅极连接第六电流源(Ib6)的输入端；
第二电阻(R2)和第二十三MOS管(M23)顺次串联于第五电流源(Ib5)第二十四MOS管(M24)之间，第十七MOS管(M17)、第十八MOS管(M18)、第二十三MOS管(M23)的栅极连接第五电流源(Ib5)的输出端，第十九MOS管(M19)、第二十MOS管(M20)、第二十四MOS管(M24)的栅极连接第二十三MOS管(M23)的输入端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都环宇芯科技有限公司，未经成都环宇芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020495437.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
