[实用新型]半导体激光器的波导结构有效
| 申请号： | 202020393234.8 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN211265970U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 波导 结构 | ||
1.一种半导体激光器的波导结构，其特征在于，包括：
衬底；
下限制层，设置在所述衬底上；
量子阱，设置在所述下限制层上；
上限制层，设置在所述量子阱上；以及
脊形成层，设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括层本体、刻蚀沟槽和脊波导。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的槽底宽度为0.5-5μm，所述衬底为重掺杂N型材料制成的，所述脊形成层为P型材料制成的。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，下限制层包括：
第一下限制层，设置在所述衬底上；以及
第二下限制层，夹设于所述第一下限制层和所述量子阱之间；
其中，所述第一下限制层为中等掺杂N型材料制成的，所述第二下限制层为未掺杂半导体材料制成的。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，上限制层包括：
第一上限制层，设置在所述量子阱上；以及
第二上限制层，夹设于所述第一上限制层和所述脊形成层之间；
其中，所述第一上限制层为未掺杂半导体材料制成的，所述第二上限制层为中等掺杂P型材料制成的。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽设有多个，且所述刻蚀沟槽为矩形槽；
其中，所述脊波导夹设于两个相邻的所述刻蚀沟槽之间，且所述脊波导沿厚度方向的截面为矩形。
6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的内底面上设有光吸收件。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述光吸收件与所述脊波导之间留有间隔。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述间隔的大小为0.5-5μm。
9.根据权利要求6所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述光吸收件的宽度小于或者等于所述刻蚀沟槽内底面的宽度，且所述光吸收件的厚度小于或者等于所述刻蚀沟槽的槽深。
10.根据权利要求9所述的半导体激光器的波导结构，其特征在于，所述刻蚀沟槽的槽深为0.5-2μm，所述光吸收件的厚度为0.05-1μm。
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