[实用新型]一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路

权利要求书

1.一种用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，其特征在于：

所述用于BCD工艺的实现多倍压输出的开关电容电路，包括P沟道增强型MOS管PM1-PM4，N沟道增强型MOS管NM1-NM4，电容C1-C4，整流二极管D1、D2，反相器INV1，以及VIN输入端口、CLK逻辑输入端口和VBST输出端口；

所述P沟道增强型MOS管PM1源极连接P沟道增强型MOS管PM2源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和电容C3的上极板；

所述P沟道增强型MOS管PM2源极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、整流二极管D1的阳极和VBST输出端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、N沟道增强型MOS管NM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；

所述N沟道增强型MOS管NM1源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM2源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM2栅极和电容C1的上极板；

所述N沟道增强型MOS管NM2源极连接P沟道增强型MOS管PM3源极、P沟道增强型MOS管PM4源极和N沟道增强型MOS管NM1源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM1栅极和电容C3的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和电容C1的上极板；

所述P沟道增强型MOS管PM1、PM2和N沟道增强型MOS管NM1、NM2在电路中充当开关管使用，共同构成开关电容电路的第二层增压电路；

所述P沟道增强型MOS管PM3源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM4源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4 栅极和电容C2的上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和电容C4的上极板；

所述P沟道增强型MOS管PM4源极连接N沟道增强型MOS管NM1源极、N沟道增强型MOS管NM2源极和P沟道增强型MOS管PM3源极，漏极连接P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和电容C4上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、N沟道增强型MOS管NM4栅极和电容C2上极板；

所述N沟道增强型MOS管NM3源极连接N沟道增强型MOS管NM4源极、整流二极管D2的阳极和VIN输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM4栅极和电容C2上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、N沟道增强型MOS管NM4漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极和电容C4的上极板；

所述N沟道增强型MOS管NM4源极连接N沟道增强型MOS管NM3源极、整流二极管D2的阳极和VIN输入端口，漏极连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM3栅极和电容C4上极板，栅极连接P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极、P沟道增强型MOS管PM3漏极和电容C2的上极板；

所述P沟道增强型MOS管PM3、PM4和N沟道增强型MOS管NM3、NM4在电路中充当开关管使用，共同构成开关电容电路的第一层增压电路；

所述电容C1上极板连接P沟道增强型MOS管PM1漏极、P沟道增强型MOS管PM2栅极、N沟道增强型MOS管NM1漏极和N沟道增强型MOS管NM2栅极，下极板连接CLK逻辑输入端口、反相器INV1输入端和电容C2的下极板；

所述电容C2上极板连接P沟道增强型MOS管PM3漏极、P沟道增强型MOS管PM4栅极、N沟道增强型MOS管NM3漏极和N沟道增强型MOS管NM4栅极，下极板连接CLK逻辑输入端口、反相器INV1输入端和电容C1的下极板；

所述电容C3上极板连接P沟道增强型MOS管PM2漏极、P沟道增强型MOS管PM1栅极、N沟道增强型MOS管NM2漏极和N沟道增强型MOS管NM1栅极，下极板连接反相器INV1输出端和电容C4的下极板；

所述电容C4上极板连接P沟道增强型MOS管PM4漏极、P沟道增强型MOS管PM3栅极、N沟道增强型MOS管NM4漏极和N沟道增强型MOS管NM3栅极，下极板连接反相器INV1输出端和电容C3的下极板；

所述整流二极管D1阳极连接P沟道增强型MOS管PM1源极、P沟道增强型MOS管PM2源极和VBST输出端口，阴极连接整流二极管D2的阴极；

所述整流二极管D2阳极连接N沟道增强型MOS管NM3源极、N沟道增强型MOS管NM4源极和VIN输入端口，阴极连接整流二极管D1的阴极；

所述反相器INV1输入端口连接CLK逻辑输入端口、电容C1下极板和C2下极板，输出端连接电容C3下极板和C4下极板；

所述电容C1-C4在电路中起到充电电容的作用，所述整流二极管D1和D2作用为防止VBST电压倒灌。