[实用新型]真空蒸膜设备

权利要求书

1.一种真空蒸膜设备，其特征在于，包括：

真空室，其包括提供真空环境的空腔；

蒸发源，其设置于空腔内；

晶振座，其设置于空腔内，其朝向蒸发源；

晶振，其安装于晶振座；

传感器，其安装于晶振座，其用于测量晶振的频率变化量并将所测量的晶振的频率变化量转换成第一电信号；

前反馈控制模块，其用于获取第一电信号并对材料沉积在晶振上的时间进行计时得到沉积时间t，其用于基于所获取的第一电信号得到晶振的频率变化量，其用于基于晶振的频率变化量计算得到沉积在晶振上的材料的质量变化量，再基于沉积在晶振上的材料的质量变化量和沉积时间计算得到蒸发源中材料的蒸发速率V；

机架，其设置于空腔内；

基板，其设置于空腔内；

发光部件，其设置于机架，其位于基板朝向蒸发源的面的前方并向基板发出入射光；

光电传感器部件，其设置于机架，其位于与基板朝向蒸发源的面相背的那面并与发光部件对置，其用于感应入射光透过基板的光的透射光强度并将所感应的透射光强度转换成第二电信号；

后反馈控制模块，其用于获取第二信号及发光部件向基板发出的入射光强度，然后基于所获取的第二信号得到透射光强度，再基于所获取的入射光强度、所得到的透射光强度计算得到蒸发成气态的材料沉积在基板上膜层的实际测量厚度；

蒸发源挡板，其设置于空腔内位于蒸发源与基板、晶振之间的位置并能沿与蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积增大、减小或保持不变；

第一驱动装置，其用于驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径相交的轨迹往复移动；

总控制模块，其用于将蒸发速率与预定蒸发速率比较得到比较结果并基于比较结果向前反馈控制模块发出控制第一驱动装置驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径相交的轨迹往复移动使挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振座、基板流动的路径的面积增大、减小或保持不变的第一控制信号，其还用于当实际测量厚度等于或大于预定厚度值时发出表征蒸膜已完成的第二控制信号。

2.根据权利要求1所述真空蒸膜设备，其特征在于，所述总控制模块当比较结果为蒸发速率大于预定蒸发速率时向前反馈控制模块发出使蒸发源挡板挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积增大的第一控制信号，前反馈控制模块收到该第一控制信号后控制第一驱动装置驱动源挡板挡沿与蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径相交的轨迹向蒸发源与基板、晶振之间的位置内移动以使挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积增大；或者，总控制模块当比较结果为蒸发速率小于预定蒸发速率时向前反馈控制模块发出使蒸发源挡板挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积减小的第一控制信号，前反馈控制模块收到该第一控制信号后控制第一驱动装置驱动蒸发源挡板沿与蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径相交的轨迹向蒸发源与基板、晶振之间的位置外移动以使挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振座、基板流动的路径的面积减小；或者，总控制模块当比较结果为蒸发速率等于预定蒸发速率时向前反馈控制模块发出使蒸发源挡板挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积保持不变的第一控制信号，前反馈控制模块收到该第一控制信号后控制第一驱动装置保持静默状态，使蒸发源挡板在蒸发源与基板、晶振之间的位置保持不变以使挡住蒸发源中的材料在气相时向晶振、基板流动的路径的面积保持不变。

3.根据权利要求1所述真空蒸膜设备，其特征在于，还包括设置于空腔内位于监测孔与蒸发源之间位置并能够挡住或露出监测孔的晶振挡板，监测孔设置于晶振座并朝向蒸发源。

4.根据权利要求1所述真空蒸膜设备，其特征在于，还包括设置于机架的挡住基板与机架之间间隙的保护挡板。

5.根据权利要求4所述真空蒸膜设备，其特征在于，所述发光部件、保护挡板和光电传感器部件处于与基板垂直的同一直线方向。

6.根据权利要求1-5任一项所述真空蒸膜设备，其特征在于，所述前反馈控制模块还用于将蒸发速率换算成表征蒸发成气态的材料沉积在基板上膜层理论厚度的计算测量值，所述总控制模块基于计算测量值与实际测量值之间的差值修正膜层预定沉积时间。