[发明专利]一种大尺寸硅片的切割方法

说明书

本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法，它是将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。本发明提供一种利用小炉型生产大尺寸硅片的方法，使得各种炉型都可以生产大硅片，尺寸灵活可调，并且提高了硅棒的硅料利用率。

技术领域

本发明属于太阳能技术领域，涉及一种大尺寸硅片的切割方法。

背景技术

目前行业内组件不断往功率更高的方向发展，除了本身电池效率提升、组件封装技术提升，另一方面硅片尺寸也不断升级，来支撑更高功率更低成本的组件产品。硅片尺寸从最开始的125mm升级到从156mm、158mm,2018年开始升级到163mm、166mm，2019年开始甚至开始开发到182mm、210mm-230mm，整个产业链不断升级，随之带来的问题是，旧的设备产能在不断的淘汰。为了拉制更大的晶棒获得更大的硅片，单晶炉从80炉型不断升级到90、100、105、110、120、140、160炉型，105以下的炉型只能制备166mm以下的硅片晶棒，120以下炉型无法制备182mm硅片晶棒，140以下炉型无法制备210mm以及的硅片晶棒，而市场上各种设备都有巨大的产能。即便是140炉型生产210mm的晶棒，也需要花费几十万进行设备改造，费用高昂。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种大尺寸硅片的切割方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种大尺寸硅片的切割方法，将单晶圆棒去除头尾后，沿着单晶圆棒的轴心线方向将单晶圆棒切割成若干个立方体晶棒，每个立方体晶棒至少有两条边的边长与其他的立方体晶棒相同，之后将立方体晶棒沿那条与其他立方体晶棒的边长不同的边进行切片，切割成矩形硅片。

进一步的，所述的立方体至少有3个。

进一步的，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的一倍而小于等于目标硅片宽度d的三倍时，将单晶圆棒沿其轴心线方向切割成三个立方体晶棒，其中较大的立方体晶棒一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，另外两个较小的立方体晶棒，一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，将较大的立方体晶棒沿着边长为h1的边切割硅片，将较大的立方体晶棒沿着边长为h2的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。

进一步的，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度为50-250μm。

进一步的，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的二倍而小于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成6个立方体方棒，其中2个较大的立方体晶棒其中一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h2,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；另外还有两个相对小的立方体，一边长为d，一边长为h3，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将6个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。

进一步的，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度为50-250μm。

进一步的，当单晶圆棒的有效直径大于目标硅片宽度d的三倍时，将圆棒切割成5个立方体晶棒，其中一个立方体晶棒一边长为d，一边长为h1,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l；其中二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h2，沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，剩余二个立方体晶棒一边长为d，一边长为h3,沿着单晶圆棒轴心线方向的深度为l，分别将5个立方体晶棒沿着边长为h1、h2和h3的边切割硅片，得到长宽分别为l和d的矩形硅片。

进一步的，其中，d＝60-125mm，l＝156-250mm，矩形硅片厚度为50-250μm。