[发明专利]光电器件

权利要求书

1.一种光电器件，其特征在于，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层，在所述量子点发光层上的电子传输层，和在所述电子传输层上的阴极；其中，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级差大于等于0.5eV；所述电子传输层中包含有氧化锌纳米材料，所述氧化锌纳米材料的表面结合有链长为3～8个碳原子的胺基/羧基配体。

2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为0.5eV～0.7eV；

或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为0.7eV～1.0eV；

或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为1.0eV～1.4eV；

或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差大于1.4eV～1.7eV。

3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述氧化锌纳米材料，按胺基/羧基配体化合物与氧化锌前驱体的摩尔比为(1～10)：1，通过溶胶凝胶法制得。

4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述胺基/羧基配体化合物选自：丙酸、丙胺、丁酸、丁胺、己酸、己胺、戊胺、辛胺中的至少一种；

和/或，所述氧化锌前驱体选自：醋酸锌、硝酸锌、硫酸锌、氯化锌中至少一种。

5.如权利要求4所述的光电器件，其特征在于，当所述胺基/羧基配体化合物的链长为3～4个碳原子时，按所述胺基/羧基配体化合物与所述氧化锌前驱体的摩尔比为(4～10)：1，制备所述氧化锌纳米材料；

当所述胺基/羧基配体化合物的链长为5～7个碳原子时，按所述胺基/羧基配体化合物与所述氧化锌前驱体的摩尔比为(1～5)：1，制备所述氧化锌纳米材料。

6.如权利要求1、2、4或5任一所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自：TFB、poly-TPD、P11、P09、P13、P15、P12中的至少一种；

和/或，所述空穴传输材料的迁移率高于1×10-4cm2/Vs。

7.如权利要求6所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述空穴注入层中空穴注入材料的功函差值小于-0.2eV或者功函差值的绝对值小于等于0.2eV。

8.如权利要求7所述的光电器件，其特征在于，当所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述空穴注入材料的功函差值小于-0.2eV时，所述空穴注入材料的功函绝对值为5.4eV～5.8eV；

当所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述空穴注入材料的功函差值的绝对值小于等于0.2eV时，所述空穴注入材料的功函绝对值为5.3eV～5.6eV。

9.如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述空穴注入材料选自：氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化镍、氧化铜中的至少一种金属纳米材料。

10.如权利要求1、2、4、5、7、8或9所述的光电器件，其特征在于，所述核壳结构的量子点材料还包括内核，以及位于所述内核与所述外壳层之间的中间壳层；

所述量子点材料的外壳层包括：CdS、ZnSe、ZnTe、ZnS、ZnSeS、CdZnS、PbS中的至少一种或者至少两种形成的合金材料；

和/或，所述量子点材料的内核包括：CdSe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、CdZnSeS、InP、InGaP、GaN、GaP、ZnSe、ZnTe、ZnTeSe中的至少一种；

和/或，所述中间壳层材料选自：CdZnSe、ZnSe、CdZnS、CdZnSeS、CdS、CdSeS中的至少一种。