[发明专利]电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法有效

专利信息
申请号: 202011635980.4 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112828421B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 赵晓明;李静;程宝;王帅;付新宇;成军伟 申请(专利权)人: 西安铂力特增材技术股份有限公司
主分类号: B23K9/04 分类号: B23K9/04
代理公司: 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 代理人: 姚敏杰
地址: 710000 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 电弧 熔丝增材 制造 网格 框架结构 方法
【权利要求书】:

1.一种电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法至少包括成形第一网格框架层的步骤;所述第一网格框架层的成形至少包括第一熔融堆积路径以及第二熔融堆积路径;所述第一熔融堆积路径和第二熔融堆积路径相对设置;所述第一熔融堆积路径和第二熔融堆积路径相邻的位置是第一网格框架层的第一交叉点;所述第一交叉点处的第一熔融堆积路径的焊道和第二熔融堆积路径的焊道是非接触的;所述第一网格框架层的第一交叉点处的第一熔融堆积路径和第二熔融堆积路径之间的距离是L1;所述第一熔融堆积路径的焊道宽度以及第二熔融堆积路径的焊道宽度均相同,记为L;所述L1=1/5~1/3L;

所述电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法至少还包括在第一网格框架层的基础上成形第二网格框架层的步骤;所述第二网格框架层的熔融堆积路径与第一网格框架层的熔融堆积路径相互垂直。

2.根据权利要求1所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第一熔融堆积路径呈V字型或均呈W字型;所述第一熔融堆积路径呈V字型时,所述第二熔融堆积路径呈倒立V字型且与呈V字型的第一熔融堆积路径背靠背设置;所述第一熔融堆积路径呈W字型时,所述第二熔融堆积路径呈M字型且与呈W字型的第一熔融堆积路径背靠背设置。

3.根据权利要求2所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第一熔融堆积路径呈W字型时,所述第二熔融堆积路径还包括与M字型的第二熔融堆积路径首尾相连的延伸段路径;所述延伸段路径整体呈W字型,所述呈W字型的延伸段路径与呈M字型的第二熔融堆积路径相对设置;所述延伸段路径与第二熔融堆积路径相邻的位置是第一网格框架层的第二交叉点,所述第二交叉点处的第二熔融堆积路径的焊道和延伸段路径的焊道是非接触的。

4.根据权利要求3所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第一网格框架层还包括与延伸段路径相对设置的第三熔融堆积路径。

5.根据权利要求4所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第三熔融堆积路径的成形路径与第一熔融堆积路径的成形路径相反。

6.根据权利要求5所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第三熔融堆积路径呈M字型且与呈W字型的延伸段路径背靠背设置;所述延伸段路径和第三熔融堆积路径相邻的位置是第一网格框架层的第三交叉点;所述第三交叉点处的延伸段路径的焊道和第三熔融堆积路径的焊道非接触。

7.根据权利要求6所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述第一网格框架层的第二交叉点处的第二熔融堆积路径和延伸段路径之间的距离是L2;所述第一网格框架层的第三交叉点处的延伸段路径和第三熔融堆积路径之间的距离是L3;所述第一熔融堆积路径的焊道宽度、延伸段路径的焊道宽度以及第三熔融堆积路径的焊道宽度均相同,记为L;所述L1=L2=L3=1/5~1/3L。

8.根据权利要求1-7任一项所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法至少还包括:以第一网格框架层的成形方法,在第二网格框架层的基础上成形第三网格框架层的步骤;所述第三网格框架层的熔融堆积路径与第二网格框架层的熔融堆积路径相互垂直。

9.根据权利要求8所述的电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法,其特征在于:所述电弧熔丝增材制造网格框架结构的方法至少还包括:以第二网格框架层的成形方法,在第三网格框架层的基础上成形第四网格框架层并直至形成整体的网络框架结构的步骤;所述第四网格框架层的熔融堆积路径与第三网格框架层的熔融堆积路径相互垂直。

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