[发明专利]体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器组件，包括：

基底；

声学镜空腔；

至少两个谐振结构，所述至少两个谐振结构共用同一压电层以及所述基底：和

支撑层，设置在基底与压电层之间，

其中：

所述压电层为单晶压电层，单晶压电层与基底彼此间隔开的平行设置；

所述支撑层限定所述声学镜空腔的边界的至少一部分；

所述支撑层包括凸肋，所述凸肋在从基底向单晶压电层的方向上延伸，所述声学镜空腔由所述凸肋被分为至少两个腔体，所述至少两个谐振结构中的每个谐振结构对应一个腔体；

且其中：

所述腔体彼此相通，或者

所述凸肋的高度等于所述腔体的厚度，所述腔体彼此之间不相通，所述凸肋构成对应腔体在水平方向上的边界。

2.根据权利要求1所述的组件，其中：

在所述腔体彼此相通的情况下，整个所述凸肋的高度小于所述腔体的厚度，或者所述凸肋的一部分的高度小于所述腔体的厚度，或者所述凸肋包括彼此在水平方向上间隔开的多个断续结构。

3.根据权利要求2所述的组件，其中：

所述至少两个谐振结构中的每个谐振结构的有效区域可以为圆形、椭圆形或多边形形状。

4.根据权利要求3所述的组件，其中：

所述断续结构包括设置在所述至少两个谐振结构中的至少一个谐振结构的所述多边形形状的顶点或者边的凸起。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：

所述声学镜空腔的底侧由所述支撑层限定。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的组件，其中：

所述声学镜空腔的底侧由所述基底限定。

7.一种体声波谐振器组件的制造方法，包括：

步骤1：提供POI晶圆，所述POI晶圆包括衬底、单晶压电层以及设置在单晶压电层的第一侧与衬底之间的绝缘层；

步骤2：在POI晶圆的单晶压电层的与第一侧相对的第二侧形成底电极图案；

步骤3：提供包括牺牲材料层和支撑层的中间层，所述中间层覆盖单晶压电层的第二侧与底电极图案，中间层的远离衬底的一侧为平坦面；

步骤4：将基底在中间层的所述平坦面与中间层键合；

步骤5：移除衬底以及绝缘层，至少一部分绝缘层被移除以露出所述单晶压电层的第一侧；

步骤6：在单晶压电层的第一侧设置顶电极图案；

步骤7：移除所述牺牲材料层以形成声学镜空腔，

其中：

所述底电极图案、所述顶电极图案以及所述单晶压电层形成至少两个谐振结构；

所述单晶压电层与基底彼此间隔开的平行设置；

所述支撑层限定所述声学镜空腔的边界的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

在步骤3中，所述牺牲材料层被所述支撑层间隔开为至少两个部分，每个部分与一个对应的谐振结构对应，且所述至少两个部分彼此断开；或者

在步骤3中，所述牺牲材料层被所述支撑层间隔开为至少两个部分，每个部分与一个对应的谐振结构对应，且所述至少两个部分彼此之间存在连接；或者

在步骤3中，所述牺牲材料层为一个整体且所述支撑层限定所述牺牲材料层在水平方向上的边界。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

在步骤3中，使得支撑层的远离衬底的一侧构成所述平坦面，或者使得所述支撑层的远离衬底的一侧与所述牺牲材料层的远离衬底的一侧齐平从而共同构成所述平坦面。

10.一种滤波器，包括根据权利要求1-6中任一项所述的体声波谐振器组件。

11.一种电子设备，包括根据权利要求10所述的滤波器，或者根据权利要求1-6中任一项所述的体声波谐振器组件。