[发明专利]新型集成电路失效分析检测方法

权利要求书

1.一种新型集成电路失效分析检测方法，其包括：

形成第一膜；

将所述集成电路组件放置于所述第一膜上；以及

在所述集成电路组件及所述第一膜上形成第二膜，以得到经封膜的集成电路组件；

其中所述第一膜及所述第二膜围封所述集成电路组件的全部外表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜与所述第二膜中的至少一者经固化形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜与所述第二膜中的至少一者由树脂与固化剂组成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述固化剂包括胺类固化剂、酸酐类固化剂或潜伏性固化剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中当所述固化剂是胺类固化剂时，所述胺类固化剂包括聚酰胺类，脂肪族胺类，芳香族胺类，聚醚胺类或咪唑类；当所述固化剂是酸酐类固化剂时，所述酸酐类固化剂包括芳香族酸酐，脂肪族酸酐或脂环族酸酐；当所述固化剂是潜伏性固化剂时，所述潜伏性固化剂包括双氰胺，594,596固化剂或三氯化硼-单乙胺络合物。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述树脂包括丙烯酸树脂或环氧树脂，所述树脂与所述固化剂的重量配比为1：1至4：1。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述丙烯酸树脂与所述固化剂的重量配比为5：2。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述环氧树脂与所述固化剂的重量配比为3：1。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一膜与所述第二膜中的至少一者由光固化树脂组成。

10.一种用于集成电路组件测试的研磨方法，其包括：

提供根据权利要求1所述的方法得到的所述经封膜的集成电路组件；以及

沿着朝向所述经封膜的集成电路组件的一个表面的方向进行研磨。