[发明专利]一种功率器件有效
| 申请号： | 202011597627.1 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112786683B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 晋虎;许军;陈卓俊;张辰晨;万欣 | 申请（专利权）人： | 浙江清华长三角研究院;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 王敏生;董琳 |
| 地址： | 314006 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件，包括终端过渡区，其特征在于，在所述终端过渡区，所述功率器件包括沿预设方向设置的第一P型掺杂层、氧化层和多晶硅层，所述多晶硅层连接栅极，
在所述第一P型掺杂层和所述氧化层之间，所述功率器件还包括第二P型掺杂层和N型掺杂层，所述第二P型掺杂层设有凹槽，所述N型掺杂层位于所述凹槽内，且所述N型掺杂层的表面与所述第二P型掺杂层的表面平齐；所述第二P型掺杂层连接源极，且为掺杂浓度大于所述第一P型掺杂层的重掺杂层。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第二P型掺杂层的掺杂浓度大于1×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述N型掺杂层的厚度大于100nm。
4.根据权利要求1或3所述的功率器件，其特征在于，所述N型掺杂层的掺杂浓度大于1×1018cm-3。
5.根据权利要求1或3所述的功率器件，其特征在于，在水平方向上，所述N型掺杂层的长度与所述氧化层的长度之差小于20um。
6.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述氧化层的材料包括二氧化铪、三氧化二铝、二氧化硅、氮化硅的至少一种。
7.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述N型掺杂层的正投影落入所述第一P型掺杂层或第二P型掺杂层内。
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