[发明专利]制造太阳能电池片的方法和太阳能电池片

权利要求书

1.一种制造太阳能电池片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

设置硅片，设置硅片的步骤包括：在硅片的底表面上设置凹凸结构；

在硅片的底表面上设置氧化硅层，以使得氧化硅层的底表面形成和硅片的底表面相一致的凹凸结构；

在氧化硅层的底表面上沉积非晶硅层；

加热非晶硅层，以使得熔融的非晶硅层固化结晶而形成掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积非晶硅层的步骤包括：

将非晶硅层沉积至第一预定厚度，并在第一预定厚度处的凹凸结构处做预晶化处理以形成再结晶晶核；继续沉积非晶硅层至第二预定厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片的底表面上设置凹凸结构的步骤通过如下方式中的一种实现：

在硅片的底表面上通过微机械方式刻划所需的凹凸结构，并采用腐蚀溶液消除硅片的底表面上的机械刻划的损伤；

采用模板化学腐蚀的方式在硅片的底表面形成凹凸结构；

采用激光烧蚀的方式在硅片的底表面形成凹凸结构，并采用腐蚀溶液消除硅片的底表面上的激光烧蚀形成的损伤。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片的底表面上设置氧化硅层的步骤包括：将氧化硅层的厚度设置为1nm-5nm，

并且，所述方法还包括在设置氧化硅层之后的如下步骤：在沉积非晶硅层之前，对氧化硅层做等离子体处理和/或自组装单层处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法包括在沉积非晶硅层之前，对氧化硅层做等离子体处理和自组装单层处理的步骤，该步骤包括如下步骤：

在氧化硅层的底表面通入自组装单层前驱物处理进行等离子体处理，前驱物选自BDEAS、HCDS、APTES或OTS；

将氧化硅层的Si-OH键改型为Si-NH₂或Si-CH₃。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积非晶硅层的步骤中：在将非晶硅层沉积至第一预定厚度时对非晶硅层做预晶化处理的步骤利用皮秒激光、飞秒激光或准分子激光实现。

7.根据权利要求2或6所述的方法，其特征在于，非晶硅层的第一预定厚度为5nm-50nm，非晶硅层的第二预定厚度为30nm-300nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对非晶硅层加热的步骤通过激光熔融退火实现。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的方法制造的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括：

硅片，所述硅片的底表面上设置有凹凸结构；

氧化硅层，所述氧化硅层设置在所述硅片的底表面上并和所述硅片的底表面形状适配从而所述氧化硅层的底表面也具有凹凸结构；

掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层设置在所述氧化硅层的底表面上；

钝化层，所述钝化层设置在所述硅片的顶表面上；

正电极和背电极，所述正电极设置在所述钝化层的顶侧，所述背电极设置在所述掺杂多晶硅层的底侧。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池片，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的底表面和所述钝化层的顶表面上均设置有减反膜。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池片，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1nm-5nm。